標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 41325-2022

標(biāo)準(zhǔn)名稱：集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片

英文名稱：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

發(fā)布部門：國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

發(fā)布日期：2022-03-09

實(shí)施日期：2022-10-01

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行/即將實(shí)施

文件格式：PDF

文件頁數(shù)：9頁

起草單位：有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司、南京國盛電子有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中環(huán)*半導(dǎo)體材料有限公司、浙江海納半導(dǎo)體有限公司

起草人員：孫燕、寧永鐸、鐘耕杭、李洋、徐新華、駱紅、楊素心、李素青、張海英、由佰玲、潘金平

標(biāo)準(zhǔn)簡介：

本文件規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片（以下簡稱Low-COP拋光片）的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。

本文件適用于對(duì)晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200 mm和300 mm、晶向<100>、電阻率0.1 Ω·cm——100 Ω·cm的Low-COP拋光片。