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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 26069-2022
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅單晶退火片
英文名稱：Annealed monocrystalline silicon wafers
發(fā)布部門：國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期：2022-03-09
實(shí)施日期：2022-10-01
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行/即將實(shí)施
替代標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 26069-2010
文件格式：PDF
文件頁數(shù)：9頁
起草單位：有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、浙江眾晶電子有限公司、洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司、開化縣檢驗(yàn)檢測研究院、浙江中晶科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海納半導(dǎo)體有限公司、中環(huán)*半導(dǎo)體材料有限公司
起草人員：孫燕、寧永鐸、樓春蘭、陳鋒、黃笑容、王振國、張海英、潘金平、由佰玲
標(biāo)準(zhǔn)簡介：
本文件規(guī)定了硅單晶退火片（以下簡稱退火片）的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。
本文件適用于通過退火工藝在硅單晶拋光片表面形成一定寬度潔凈區(qū)的硅片，產(chǎn)品用于技術(shù)代180 nm——22 nm的集成電路。
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