標準編號：GB/T 24581-2022

標準名稱：硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法

英文名稱：Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method

發(fā)布部門：國家市場監(jiān)督管理總局 國家標準化管理委員會

發(fā)布日期：2022-03-09

實施日期：2022-10-01

標準狀態(tài)：現(xiàn)行/即將實施

替代標準：GB/T 24581-2009

文件格式：PDF

文件頁數(shù)：9頁

起草單位：樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗所、青海芯測科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司、江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司、國標(北京)檢驗認證有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責(zé)任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江蘇秦烯新材料有限公司、義烏力邁新材料有限公司

起草人員：梁洪、趙曉斌、萬濤、薛心祿、魏東亮、王彬、邱艷梅、楊素心、李素青、李朋飛、趙培芝、王永濤、魏強、楚東旭、周延江、劉文明、劉紅、何建*、皮坤林

標準簡介：

本文件描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的方法。

本文件適用于硅單晶中的Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)鋁（Al)、銻（Sb)、砷（As)、硼（B)、鎵（Ga)、銦（In)和 磷（P)含量的測定，各元素的測定范圍（以原子數(shù)計)為1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3