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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
GB/T 36401-2018 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 薄膜分析結(jié)果的報(bào)告
Surface chemical analysis—X-ray photoelectron spectroscopy—Reporting of results of thin-film analysis
標(biāo)準(zhǔn) 推薦性 現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)《表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 薄膜分析結(jié)果的報(bào)告》由TC38(微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì))歸口上報(bào)，TC38SC2(微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)表面化學(xué)分析分會(huì))執(zhí)行，主管部門為標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)。
GB/T 36401-2018主要起草單位
廈門荷清教育咨詢有限公司 、清華大學(xué)化學(xué)系 。
GB/T 36401-2018主要起草人
湯丁亮 、李展平 、岑丹霞 、姚文清 、劉芬 、王水菊 。
GB/T 36401-2018采標(biāo)情況
本標(biāo)準(zhǔn)等同采用ISO標(biāo)準(zhǔn)：ISO 13424:2013。
采標(biāo)中文名稱:表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 薄膜分析結(jié)果的報(bào)告。
GB/T 36401-2018相近標(biāo)準(zhǔn)(計(jì)劃)
20151802-T-469 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 薄膜分析結(jié)果的報(bào)告GB/T 30704-2014 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 分析指南20121403-T-469 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 分析指南GB/Z 32490-2016 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 確定本底的程序20110878-T-469 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 確定本底的程序GB/T 28632-2012 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜 橫向分辨率測(cè)定20078461-T-491 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜 橫向分辨率測(cè)定GB/T 33502-2017 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜(XPS)數(shù)據(jù)記錄與報(bào)告的規(guī)范要求GB/T 25185-2010 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 - 荷電控制和荷電校正方法的報(bào)告
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