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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電容位移傳感法測(cè)定硅片表面局部平整度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于無(wú)接觸、非破壞性地測(cè)量干燥、潔凈的半導(dǎo)體硅片表面的局部平整度。適用于直徑100mm及以上、厚度250μm及以上腐蝕、拋光及外延硅片。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 19922-2005
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法
英文名稱(chēng)：Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2005-09-19
實(shí)施日期：2006-04-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.01金屬材料試驗(yàn)綜合
起草單位：洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司
歸口單位：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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