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GB/T19921-2018硅拋光片表面顆粒測試方法

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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽:

標(biāo)準(zhǔn)簡介:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了應(yīng)用掃描表面檢查系統(tǒng)對拋光片、外延片等鏡面晶片表面的局部光散射體進(jìn)行測試,對局部光散射體與延伸光散射體、散射光與反射光進(jìn)行區(qū)分、識(shí)別和測試的方法。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 19921-2018

標(biāo)準(zhǔn)名稱:硅拋光片表面顆粒測試方法

英文名稱:Test method for particles on polished silicon wafer surfaces

標(biāo)準(zhǔn)類型:國家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2018-12-28

實(shí)施日期:2019-07-01

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法

國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn)

替代以下標(biāo)準(zhǔn):替代GB/T 19921-2005

起草單位:有研半導(dǎo)體材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京國盛電子有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院、天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

歸口單位:全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全

發(fā)布單位:國家市場監(jiān)督管理總局.

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