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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了n型，半絕緣型(Si)，p型磷化銦單晶片的牌號(hào)，技術(shù)要求，試驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則，以及標(biāo)志，包裝，運(yùn)輸，儲(chǔ)存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于高壓液封直拉法制備的磷化銦單晶材料。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 20230-2006
標(biāo)準(zhǔn)名稱：磷化銦單晶
英文名稱：Indium phosphide single crystal
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2006-04-21
實(shí)施日期：2006-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H83化合物半導(dǎo)體材料
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 20230-2022代替
起草單位：中國電子科技集團(tuán)第十三研究所
歸口單位：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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