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標準簡介：本標準規(guī)定了非摻雜半絕緣砷化鎵單晶及其晶片深能級EL２濃度紅外吸收測試方法。本標準不適用于摻鉻半絕緣砷化鎵試樣深能級EL2濃度測定。
標準號：GB/T 17170-1997
標準名稱：非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
英文名稱：Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
標準狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1997-01-02
實施日期：1998-08-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料
替代以下標準：SJ 3249.4-1989;被GB/T 17170-2015代替
起草單位：電子工業(yè)部第四十六研究所
歸口單位：全國半導體材料和設備標準化技術(shù)委員會
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
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