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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用Ｘ射線技術(shù)測(cè)量硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向與參考面規(guī)定取向之間角度偏差的測(cè)量。硅片直徑為50～125mm，參考面長(zhǎng)度為10～50mm。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于硅片規(guī)定取向在與參考面和硅片表面相垂直的平面內(nèi)的投影與硅片表面法線之間夾角不小于3°的硅片的測(cè)量。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 13388-1992
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測(cè)量方法
英文名稱：Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1992-02-19
實(shí)施日期：1992-10-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：29.040.30
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 13388-2009代替
起草單位：北京有色金屬研究總院
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
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