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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度之間的換算關(guān)系，該換算關(guān)系也適用于摻銻硅單晶，還可擴(kuò)展至硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻硼濃度1014 cm-3～1×1020cm-3，摻磷濃度3×1013 cm-3～1×1020 cm-3，摻砷濃度1019 cm-3～6×1020cm-3。對摻硼、摻磷的硅單晶摻雜劑濃度可擴(kuò)展到1012cm-3。 本標(biāo)準(zhǔn)也可用于在23℃下從硅單晶電阻率到載流子濃度的換算，但不包括對砷摻雜劑的載流子濃度換算，或任何其他載流子濃度的換算。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 13389-2014
標(biāo)準(zhǔn)名稱：摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
英文名稱：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2014-12-31
實(shí)施日期：2015-09-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：>>>> ?>>>>80
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 13389-1992
起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、中國計(jì)量科學(xué)研究院、浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心、杭州海納半導(dǎo)體有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC203)和全國
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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