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標準簡介：本標準規(guī)定了23℃時摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜劑濃度間的換算方法。本標準適用于摻雜劑濃度1012～1021cm-3(電阻率0.0001~10，000Ω·cm)摻硼硅單晶和1012~5×1020cm-3(電阻率0.0002~4,000Ω·cm)摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算，也可擴展到硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。
標準號：GB/T 13389-1992
標準名稱：摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
英文名稱：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
標準狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1992-02-19
實施日期：1992-10-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
國際標準分類號（ICS）：29.040.30
替代以下標準：被GB/T 13389-2014代替
起草單位：峨嵋半導體材料研究所
歸口單位：全國半導體材料和設(shè)備標準化技術(shù)委員會
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
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