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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本部分的補(bǔ)充要求適用于安裝在具有半導(dǎo)體裝置的設(shè)備上的熔斷體，該熔斷體適用于標(biāo)稱電壓不超過交流1 000 V或直流1 500 V的電路。如適用，還可用于更高的標(biāo)稱電壓的電路。?
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 13539.4-2016
標(biāo)準(zhǔn)名稱：低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求
英文名稱：Low-voltage fuses—Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2016-04-25
實(shí)施日期：2016-11-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：電工>>低壓電器>>K31低壓配電電器
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>電工器件>>29.120.50熔斷器和其他過載保護(hù)
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 13539.4-2009
起草單位：上海電器科學(xué)研究院
歸口單位：全國熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 340)
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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