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GB/T13539.4-2009低壓熔斷器第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

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標(biāo)準(zhǔn)簡介:本部分的目的是確定半導(dǎo)體熔斷體的特性,從而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔斷體替換半導(dǎo)體熔斷體。因此,本部分中特別規(guī)定了:a) 熔斷體的下列特性:1) 額定值;2) 正常工作時(shí)的溫升;3) 耗散功率;4) 時(shí)間?電流特性;5) 分?jǐn)嗄芰?6) 截?cái)嚯娏魈匦院蜖?狋特性;7) 電弧電壓極限值。b) 驗(yàn)證熔斷體特性的型式試驗(yàn);c) 熔斷體標(biāo)志;d) 應(yīng)提供的技術(shù)數(shù)據(jù)(見附錄B)。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 13539.4-2009

標(biāo)準(zhǔn)名稱:低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

英文名稱:Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

標(biāo)準(zhǔn)類型:國家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):作廢

發(fā)布日期:2009-04-21

實(shí)施日期:2009-11-01

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):電工>>低壓電器>>K31低壓配電電器

國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):電氣工程>>電工器件>>29.120.50熔斷器和其他過載保護(hù)

替代以下標(biāo)準(zhǔn):替代GB/T 13539.4-2005;GB/T 13539.7-2005;被GB/T 13539.4-2016代替

起草單位:上海電器科學(xué)研究所 集團(tuán)有限公司、上海電器陶瓷廠有限公司、西安西整熔斷器廠等

歸口單位:全國熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 340)

發(fā)布單位:國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

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