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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝運(yùn)輸、貯存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在Ｎ 型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的ｎ型外延層（Ｎ／Ｎ＋ ）和在ｐ型硅拋光片襯底上生長(zhǎng)的Ｐ型外延層（Ｐ／Ｐ＋ ）的同質(zhì)硅外延片。產(chǎn)品主要用于制作硅半導(dǎo)體器件。其他類型的硅外延片可參照使用。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14139-2009
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅外延片
英文名稱：Silicon epitaxial wafers
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：2009-10-30
實(shí)施日期：2010-06-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 14139-1993;被GB/T 14139-2019代替
起草單位：寧波立立電子股份有限公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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