檢測報(bào)告圖片模板：
檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用干涉相襯顯微鏡非破壞性測量硅外延層堆垛層錯(cuò)密度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅外延層厚度不小于3μm、外延層晶向偏離｛111｝晶面或｛100｝晶面角度較小的試樣的堆垛層錯(cuò)密度測量。當(dāng)堆垛層錯(cuò)密度超過15000cm-2或當(dāng)外延層晶向與｛111｝晶面或｛100｝晶面偏離角度較大時(shí)，測量精度將有所降低。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 14145-1993
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅外延層堆垛層錯(cuò)密度測定干涉相襯顯微鏡法
英文名稱：Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1993-02-06
實(shí)施日期：1993-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H24金相檢驗(yàn)方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：29.040.30
起草單位：上海有色金屬研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫為非營利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請聯(lián)系我們刪除。
