檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非摻雜半絕緣砷化鎵晶片中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于1.0×10
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 19199-2003
標(biāo)準(zhǔn)名稱：半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法
英文名稱：Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：2003-06-16
實(shí)施日期：2004-01-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H82元素半導(dǎo)體材料
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 19199-2015代替
起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)為非營(yíng)利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問(wèn)題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
