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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針法測量硅片徑向電阻率變化的方法。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 11073-2007
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片徑向電阻率變化的測量方法
英文名稱：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2007-12-18
實施日期：2008-02-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.01金屬材料試驗綜合
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 11073-1989
起草單位：峨嵋山半導(dǎo)體材料廠
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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