檢測報(bào)告圖片模板：
檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本方法適用于長方體和薄片銻化甸單晶樣品的電阻率和堆耳系數(shù)的測量。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB 11297.7-1989
標(biāo)準(zhǔn)名稱：銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法
英文名稱：Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：強(qiáng)制性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：1988-10-09
實(shí)施日期：1990-01-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：電子元器件與信息技術(shù)>>電子設(shè)備專用材料、零件、結(jié)構(gòu)件>>L90電子技術(shù)專用材料
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：29.040.30
起草單位：航天工業(yè)部8358研究所和機(jī)械電子工業(yè)部第十一研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布單位：機(jī)械電子工業(yè)部
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫為非營利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請聯(lián)系我們刪除。
