檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅、鍺單晶電阻率的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的較近距離二者均大于探針間距的4倍的硅、鍺單晶的體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的硅、鍺單晶圓片（簡(jiǎn)稱圓片）的電阻率。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 1552-1995
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?/p>
英文名稱：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1995-04-18
實(shí)施日期：1995-01-02
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.30金屬材料化學(xué)分析
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB 1552-1979;GB 5251-1985;GB 6615-1986;被GB/T 1551-2009代替
起草單位：上海有色金屬研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
標(biāo)準(zhǔn)文檔查詢及下載
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)為非營(yíng)利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問(wèn)題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
