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標準簡介：本標準規(guī)定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法。本標準適用于低位錯單晶硅中導電性雜質(zhì)硼和磷含量的同時測定。本標準用于檢測單晶硅中含量為1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各種電活性雜質(zhì)元素。
標準號：GB/T 24574-2009
標準名稱：硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法
英文名稱：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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