標準簡介：本標準規(guī)定了硅片表面金屬沾污的全反射X 光熒光光譜測試方法,本方法使用單色X 光源全反射X 光熒光光譜的方法定量測定硅單晶拋光襯底表面層的元素面密度。本標準適用于N 型和P型硅單晶拋光片、外延片等鏡面拋光的硅片,尤其適用于清洗后硅片自然氧化層,或經化學方法生長的氧化層中沾污元素的面密度測定。

標準號：GB/T 24578-2009

標準名稱：硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法

英文名稱：Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy

標準類型：國家標準

標準性質：推薦性

標準狀態(tài)：作廢

發(fā)布日期：2009-10-30

實施日期：2010-06-01

中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合

國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料

替代以下標準：被GB/T 24578-2015代替

起草單位：有研半導體材料股份有限公司、萬向硅峰電子有限公司

歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

發(fā)布單位：國家質量監(jiān)督檢驗檢疫.