檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器電特性和核輻射性能的測(cè)試方法以及某些特殊環(huán)境的試驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于探測(cè)帶電粒子的部分耗盡金硅面壘型、鋰漂移金硅面壘型和表面鈍化離子注入平面硅型等半導(dǎo)體探測(cè)器。全耗盡金硅面壘型探測(cè)器的某些性能測(cè)試也應(yīng)參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 5201-1994
標(biāo)準(zhǔn)名稱：帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)試方法
英文名稱：Test procedures for semiconductor charged particle detectors
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1994-01-02
實(shí)施日期：1995-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：能源、核技術(shù)>>核儀器與核探測(cè)器>>F80核儀器與核探測(cè)器綜合
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：計(jì)量學(xué)和測(cè)量、物理現(xiàn)象>>17.240輻射測(cè)量
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：GB 5201-1985;被GB/T 5201-2012代替
起草單位：北京核儀器廠
歸口單位：全國核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫為非營利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
