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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用雙晶 X射線衍射儀測(cè)試氮化鎵單晶襯底片搖擺曲線半高寬的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法生長(zhǎng)制備的氮化鎵單晶襯底片。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 32188-2015
標(biāo)準(zhǔn)名稱：氮化鎵單晶襯底片x射線雙晶搖擺曲線半高寬測(cè)試方法
英文名稱：Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2015-12-10
實(shí)施日期：2016-11-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn)
起草單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司、中國(guó)科學(xué)院物理研究所、北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、丹東新東方晶體儀器有限公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國(guó)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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