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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用熱氧化和化學(xué)擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗(yàn)拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測<111>或<100>晶向的p型或n型拋光片或外延片,電阻率大于0.001Ω·cm。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 26066-2010
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
英文名稱：Practice for shallow etch pit detection on silicon
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2011-01-10
實(shí)施日期：2011-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/T
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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