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檢測執(zhí)行標準信息一覽：
標準簡介：本標準規(guī)定了用熱氧化和化學擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測方法。本標準適用于檢測<111>或<100>晶向的p型或n型拋光片或外延片,電阻率大于0.001Ω·cm。
標準號：GB/T 26066-2010
標準名稱：硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
英文名稱：Practice for shallow etch pit detection on silicon
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2011-01-10
實施日期：2011-10-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
國際標準分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導體材料
起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/T
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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