檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本方法適用于測(cè)量均勻摻雜、經(jīng)過(guò)拋光處理的n型或p型硅片的載流子復(fù)合壽命。本方法是非破壞性、無(wú)接觸測(cè)量。在電導(dǎo)率檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度足夠的條件下,本方法也可應(yīng)用于測(cè)試切割或者經(jīng)過(guò)研磨、腐蝕硅片的載流子復(fù)合壽命。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26068-2010
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：硅片載流子復(fù)合壽命的無(wú)接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法
英文名稱(chēng)：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：2011-01-10
實(shí)施日期：2011-10-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 26068-2018代替
起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、瑟米萊伯貿(mào)易(上海)有限公司、中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院、萬(wàn)向硅峰電子有限公司、廣州昆德科技有限公司、洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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