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標準簡介：本標準規(guī)定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法。本標準適用于GaAs、InP(GaP、GaSb可參照進行)等化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測量。
標準號：GB/T 26070-2010
標準名稱：化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法
英文名稱：Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2011-01-10
實施日期：2011-10-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬化學分析方法>>H17半金屬及半導體材料分析方法
國際標準分類號（ICS）：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.99金屬材料的其他試驗方法
起草單位：中國科學院半導體研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/T
發(fā)布單位：國家質量監(jiān)督檢驗檢疫.
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