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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于GaAs、InP(GaP、GaSb可參照進(jìn)行)等化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測(cè)量。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26070-2010
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測(cè)試方法
英文名稱(chēng)：Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2011-01-10
實(shí)施日期：2011-10-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.99金屬材料的其他試驗(yàn)方法
起草單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/T
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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