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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本文件描述了用扇形磁場或四極桿式二次離子質(zhì)譜儀對硅中硼進(jìn)行深度剖析的方法，以及用觸針式表面輪廓儀或光學(xué)干涉儀深度定標(biāo)的方法。本文件適用于硼原子濃度范圍1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的單晶硅、多晶硅或非晶硅樣品，濺射弧坑深度在50 nm及以上。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 40109-2021
標(biāo)準(zhǔn)名稱：表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中硼深度剖析方法
英文名稱：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2021-05-21
實施日期：2021-12-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：化工>>化工綜合>>G04基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：化工技術(shù)>>分析化學(xué)>>71.040.40化學(xué)分析
起草單位：中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
歸口單位：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 38)
發(fā)布單位：國家市場監(jiān)督管理總局.
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