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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)行之有效用于電阻率10-1~104Ω.cm的硅單晶。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB 4057-1983
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：硅單晶微缺陷的化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
英文名稱(chēng)：Singie crystal sllicon-Detection of microdefects-Chemical etching technique
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：強(qiáng)制性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1983-12-20
實(shí)施日期：1984-12-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H25金屬化學(xué)性能試驗(yàn)方法
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 1554-1995代替
起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料研究所
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