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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體單晶晶向X射線衍射定向和光圖定向的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)定半導(dǎo)體單晶材料大致平行于低指數(shù)原子面的晶體的表面取向。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 1555-1997
標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
英文名稱：Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1997-01-02
實(shí)施日期：1998-08-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB 1555-1979;GB 1556-1979;GB 5254-1985;GB 5255-1985;GB 8759-1988;被GB/T 1555-2009代替
起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
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