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標準簡介：本標準規(guī)定了采用紅外光譜法測定硅單晶中的間隙氧含量的方法。本標準適用于室外溫電阻率大于0.1Ω·cm的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm中間的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。本標準測量氧含量的有效范圍從1×1016at·cm-3到硅中間隙氧的*大固熔度。
標準號：GB/T 1557-2006
標準名稱：硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
英文名稱：The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
標準狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：2006-07-18
實施日期：2006-11-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
國際標準分類號（ICS）：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.30金屬材料化學分析
替代以下標準：替代GB/T 14143-1993;GB/T 1557-1989;被GB/T 1557-2018代替
起草單位：峨眉半導體材料廠
歸口單位：全國有色金屬標準化技術委員會
發(fā)布單位：質量監(jiān)督檢驗檢疫總局.
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