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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及電阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的測(cè)定,對(duì)于精密度要求不高的硅片,可以測(cè)量電阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于間隙位置,因而本方法不能測(cè)定總碳含量。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測(cè)定,但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測(cè)定。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 1558-2009
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅中代位碳原子含量 紅外吸收測(cè)量方法
英文名稱：Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2009-10-30
實(shí)施日期：2010-06-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 1558-1997
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、峨嵋半導(dǎo)體材料廠
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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