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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 14144-2009硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。
英文名稱： Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
替代情況： 替代GB/T 14144-1993
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
采標(biāo)情況： MOD SEMI MF 1188-1105
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1993-02-06
提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
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