檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 13387-2009硅及其它電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)用于標(biāo)稱圓形晶片邊緣平直部分長(zhǎng)度小于等于65mm 的電學(xué)材料。本標(biāo)準(zhǔn)僅對(duì)硅片精度進(jìn)行確認(rèn),預(yù)期精度不因材料而改變。本標(biāo)準(zhǔn)適用于仲裁測(cè)量,當(dāng)規(guī)定的限度要求高于用尺子和肉眼檢測(cè)能夠獲得的精度時(shí),本標(biāo)準(zhǔn)也可用于常規(guī)驗(yàn)收測(cè)量。
英文名稱： Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials
替代情況： 替代GB/T 13387-1992
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
采標(biāo)情況： SEMI MF671-0705 MOD
發(fā)布部門： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1992-02-19
提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
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