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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 11072-2009銻化銦多晶、單晶及切割片
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了銻化銦多晶、單晶及單晶切割片的產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求和試驗(yàn)方法等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于區(qū)熔法制備的銻化銦多晶及直拉法制備的供制作紅外探測(cè)器和磁敏元件等用的銻化銦多晶、單晶及切割片。
英文名稱(chēng)： Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
替代情況： 替代GB/T 11072-1989
中標(biāo)分類(lèi)： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H83化合物半導(dǎo)體材料
ICS分類(lèi)： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門(mén)： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1989-03-31
提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
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