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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 4058-2009硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的晶體缺陷的檢測(cè)。硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)也可參照此方法。
英文名稱： Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
替代情況： 替代GB/T 4058-1995
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1983-12-20
提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
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