分析費(fèi)用：參考價(jià)格：200-1000不等，具體費(fèi)用價(jià)格根據(jù)檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)和檢測(cè)項(xiàng)目數(shù)量而定。

砷化鎵分析范圍

砷化鎵電池，砷化鎵芯片，砷化鎵太陽(yáng)能電池，砷化鎵襯底，砷化鎵薄膜，砷化鎵晶體，砷化鎵半導(dǎo)體，砷化鎵外延片等。

分析項(xiàng)目：晶片表面損傷分析，表面清洗及SEM表面分析，含量分析，晶胞結(jié)構(gòu)分析，位錯(cuò)密度分析，表面缺陷分析，載流子濃度分析，紅外吸收分析等。

分析報(bào)告有哪些作用?

1、銷售使用。

2、研發(fā)使用。

3、改善產(chǎn)品質(zhì)量。

4、科研論文數(shù)據(jù)使用。

5、競(jìng)標(biāo)，投標(biāo)使用

砷化鎵分析標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 8757-2006砷化鎵中載流子濃度等離子共振測(cè)量方法

GB/T 8758-2006砷化鎵外延層厚度紅外干涉測(cè)量方法

GB/T 8760-2020砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的檢測(cè)方法

GB/T 11068-2006砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 11094-2020水平法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 17170-2015半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收檢測(cè)方法

GB/T 18032-2000砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法

GB/T 19199-2015半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收檢測(cè)方法

GB/T 20228-2006砷化鎵單晶

GB/T 20228-2021砷化鎵單晶

GB/T 25075-2010太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶

GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化鎵襯底

GB/T 35305-2017太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片

SJ 3242-1989砷化鎵外延片

SJ 3248-1989重?fù)缴榛壓土谆熭d流子濃度的紅外反射檢測(cè)方法

SJ 3249.3-1989半絕緣砷化鎵中鉻濃度的紅外吸收檢測(cè)方法

SJ/T 11488-2015半絕緣砷化鎵電阻率、霍爾系數(shù)和遷移率檢測(cè)方法

SJ/T 11490-2015低位錯(cuò)密度砷化鎵拋光片蝕坑密度的測(cè)量方法

SJ/T 11496-2015紅外吸收法測(cè)量砷化鎵中硼含量

SJ/T 11497-2015砷化鎵晶片熱穩(wěn)定性的檢測(cè)方法

SJ 20635-1997半絕緣砷化鎵剩余雜質(zhì)濃度微區(qū)檢測(cè)方法

SJ 20713-1998砷化鎵用高鈍鎵中銅、錳、鎂、釩、鈦等12種雜質(zhì)的等離子體光譜分析法

SJ 20714-1998砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射檢測(cè)方法

SJ 21536-2018微波功率器件及集成電路用砷化鎵外延片規(guī)范

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。本頁(yè)面價(jià)格僅供參考，不是實(shí)際檢測(cè)費(fèi)用報(bào)價(jià)，實(shí)際報(bào)價(jià)請(qǐng)致電公司咨詢；因?qū)嶋H檢測(cè)服務(wù)涉及到相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和具體項(xiàng)目，故費(fèi)用差異交大，實(shí)際價(jià)格需要根據(jù)客戶需求來(lái)確定；服務(wù)說(shuō)明：檢測(cè)服務(wù)必須以公司抬頭簽訂合同。