LED芯片檢測報告如何辦理？測試哪些項目呢？檢測費用價格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應LED芯片檢測標準或者根據(jù)您的需求設計檢測方案。做檢測，上百檢！我們只做真實檢測。
檢測周期
一般3-15個工作日，可加急。
檢測方式
可寄樣檢測、目測檢測、見證試驗、現(xiàn)場檢測等。
檢測費用
具體根據(jù)LED芯片檢測檢測數(shù)量和項目而定。詳情請咨詢在線客服。
檢測產(chǎn)品
0LED芯片簡介
一種固態(tài)的半導體器件，LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負*，另一端連接電源的正*，使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。也稱為led發(fā)光芯片，是led燈的核心組件，也就是指的P-N結。其主要功能是：把電能轉化為光能，芯片的主要材料為單晶硅。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。
1LED芯片歷史
50年前人們已經(jīng)了解半導體材料可產(chǎn)生光線的基本知識，1962年，通用電氣公司的尼克·何倫亞克（Nick HolonyakJr.）開發(fā)出*種實際應用的可見光發(fā)光二*管。LED是英文light emitting diode（發(fā)光二*管）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上
led(2張)
，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，即固體封裝，所以能起到保護內(nèi)部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。較初LED用作儀器儀表的指示光源，后來各種光色的LED在交通信號燈和大面積顯示屏中得到了廣泛應用，產(chǎn)生了很好的經(jīng)濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈為例，在美國本來是采用長壽命、低光效的140瓦白熾燈作為光源，它產(chǎn)生2000流明的白光。經(jīng)紅色濾光片后，光損失90%，只剩下200流明的紅光。而在新設計的燈中，Lumileds公司采用了18個紅色LED光源，包括電路損失在內(nèi)，共耗電14瓦，即可產(chǎn)生同樣的光效。汽車信號燈也是LED光源應用的重要領域。
2LED芯片研究意義
隨著 LED 技術的快速發(fā)展以及 LED 光效的逐步提高，LED 的應用將越來越廣泛。隨著全球性能源短缺問題的日益嚴重，人們越來越關注 LED 在照明市場的發(fā)展前景，LED 將是取代白熾燈、鎢絲燈和熒光燈的潛力光源。
LED 照明市場發(fā)展空間廣闊。LED 照明燈具應用已經(jīng)從過去室外景觀照明 LED 發(fā)展向室內(nèi)照明應用。據(jù)分析未來五年內(nèi) LED 室內(nèi)照明的發(fā)展將有指數(shù)型增長趨勢。2011年其產(chǎn)值高達數(shù)百億美元。尤其是 2009 年歐盟率先實施禁用白熾燈計劃，以及節(jié)能議題備受關注，造就了 LED 室內(nèi)照明巨大的市場機遇和樂觀的前景。
芯片技術提升和價格走低是促進 LED 照明應用成本下降的關鍵。隨著 LED芯片技術的提升，LED 發(fā)光效率提高后，單顆 LED 芯片所需的成本不斷下降。同時，上游投資帶動的大規(guī)模產(chǎn)能釋放，引發(fā)較強的市場競爭也將帶動芯片價格下降，這有效推動 LED 照明產(chǎn)品成本的下降。2011 年，芯片從之前的供不應求快速轉換為供過于求，芯片價格快速下降。例如，小功率的 7.5mil×7.5mil 藍光芯片和大功率的 45mil×45mil 藍光芯片 2011 年一年內(nèi)價格分別下降了 55.9%和 55.0%。
無論是面向重點照明和整體照明的高功率 LED 芯片，還是用于裝飾照明和一些簡單的輔助照明的低功率 LED 芯片，技術升級的關鍵都關乎如何開發(fā)出更高效、更穩(wěn)定的 LED 芯片。在短短數(shù)年內(nèi)，借助于包括新型芯片結構和多量子阱結構的新型外延機構設計在內(nèi)的一系列技術改進，LED 的發(fā)光效率實現(xiàn)了巨大突破，這些技術突破都將為LED 半導體照明的普及鋪平道路。
3LED芯片分類
4LED芯片芯片結構
5LED芯片重要參數(shù)
1、正向工作電流If
它是指發(fā)光二*體正常發(fā)光時的正向電流值。在實際使用中應根據(jù)需要選擇IF在0.6·IFm以下。
2、正向工作電壓VF
參數(shù)表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在IF=20mA時測得的。發(fā)光二*體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時，VF將下降。
3、V-I特性
發(fā)光二*體的電壓與電流的關系，在正向電壓正小于某一值(叫閾值)時，電流*小，不發(fā)光。當電壓超過某一值后，正向電流隨電壓迅速增加，發(fā)光。
4、發(fā)光強度IV
發(fā)光二*體的發(fā)光強度通常是指法線(對圓柱形發(fā)光管是指其軸線)方向上的發(fā)光強度。若在該方向上輻射強度為(1/683)W/sr時，則發(fā)光1坎德拉(符號為cd)。由于一般LED的發(fā)光二*管強度小，所以發(fā)光強度常用燭光(坎德拉, mcd)作單位。
5、LED的發(fā)光角度
-90°- +90°
6、光譜半寬度Δλ
它表示發(fā)光管的光譜純度。
7、半值角θ1/2和視角
θ1/2是指發(fā)光強度值為軸向強度值一半的方向與發(fā)光軸向(法向)的夾角。
8、全形
根據(jù)LED發(fā)光立體角換算出的角度，也叫平面角。
9、視角
指LED發(fā)光的較大角度，根據(jù)視角不同，應用也不同，也叫光強角。
10、半形
法向0°與較大發(fā)光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是較大發(fā)光強度值與較大發(fā)光強度值/2所對應的夾角。LED的封裝技術導致較大發(fā)光角度并不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是較大發(fā)光強度對應的角度與法向0°之間的夾角。
11、較大正向直流電流IFm
允許加的較大的正向直流電流。超過此值可損壞二*體。
12、較大反向電壓VRm
所允許加的較大反向電壓即擊穿電壓。超過此值，發(fā)光二*體可能被擊穿損壞。
13、工作環(huán)境topm
發(fā)光二*體可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發(fā)光二*體將不能正常工作，效率大大降低。
14、允許功耗Pm
允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的較大值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞。
6LED芯片芯片尺寸
大功率LED芯片有尺寸為38*38mil，40*40mil，45*45mil等三種當然芯片尺寸是可以訂制的，這只是一般常見的規(guī)格。mil是尺寸單位，一個mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38mil，40mil，45mil都是1W大功率芯片的常用尺寸規(guī)格。理論上來說，芯片越大，能承受的電流及功率就越大。不過芯片材質及制程也是影響芯片功率大小的主要因素。例如CREE 40mil的芯片能承受1W到3W的功率，其他廠牌同樣大小的芯片，較多能承受到2W。
7LED芯片發(fā)光亮度
一般亮度：R(紅色GaAsP 655nm)、H ( 高紅GaP 697nm )、G ( 綠色GaP 565nm )、Y ( 黃色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等；
高亮度：VG (較亮綠色GaP 565nm )、VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 較亮紅色GaAlAS 660nm )；
超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等；
三元晶片(磷﹑鎵 ﹑砷)：SR(較亮紅色GaAlAS 660nm)、 HR (超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(較亮紅色GaAlAs 660nm)等；
四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、URF(較亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、UY(較亮黃色 AlGalnP 595nm)、UYS(較亮黃色 AlGalnP 587nm)、UE(較亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (較亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。
8LED芯片襯底
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是*要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設備和LED器件的要求進行選擇。三種襯底材料：藍寶石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）。
藍寶石的優(yōu)點：1.生產(chǎn)技術成熟、器件質量較好 ;2.穩(wěn)定性很好，能夠運用在高溫生長過程中; 3.機械強度高，易于處理和清洗。
藍寶石的不足：1.晶格失配和熱應力失配，會在外延層中產(chǎn)生大量缺陷；2.藍寶石是一種絕緣體，在上表面制作兩個電*，造成了有效發(fā)光面積減少；3.增加了光刻、蝕刻工藝過程，制作成本高。
硅是熱的良導體，所以器件的導熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。
碳化硅襯底（CREE公司專門采用SiC材料作為襯底）的LED芯片，電*是L型電*，電流是縱向流動的。采用這種襯底制作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。優(yōu)點： 碳化硅的導熱系數(shù)為490W/m·K，要比藍寶石襯底高出10倍以上。不足：碳化硅制造成本較高，實現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應的成本。
9LED芯片led特點
（1）四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規(guī)芯片要亮。
（2）信賴性優(yōu)良。
（3）應用廣泛。
（4）安全性高。
（5）壽命長。
10LED芯片如何評判
led芯片的價格：一般情況系下方片的價格要高于圓片的價格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，進口的要高于國產(chǎn)的，進口的來源價格從日本、美國、依次減低。
led芯片的質量：評價led芯片的質量主要從裸晶亮度、衰減度兩個主要標準來衡量，在封裝過程中主要從led芯片封裝的成品率來計算。
11LED芯片日常使用
紅燈：9mil正規(guī)方片，（純紅）波長：620-625nm，上下60°、左右120°，亮度高達1000-1200mcd；
綠燈：12mil正規(guī)方片，（純綠）波長：520-525nm，上下60°、左右120°，亮度高達2000-3000mcd；
性能：具有亮度高、抗靜電能力強、抗衰減能力強、一致性好等特點，是制作led招牌、led發(fā)光字的較佳選擇。
12LED芯片制造流程
總的來說，LED制作流程分為兩大部分：
*先在襯底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延片爐(MOCVD)中完成的。準備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用氣相反應物（前驅物）及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進行反應，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質。MOCVD外延爐是制作LED外延片較常用的設備。
然后是對LED PN結的兩個電*進行加工，電*加工也是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨；然后對LED毛片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不夠乾凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會導致蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻后的電*）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。
蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定芯片，因此會產(chǎn)生夾痕（在目檢必須挑除）。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。
芯片在前段工藝中，各項工藝如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有芯片電*刮傷情形發(fā)生。
13LED芯片制作工藝
1.LED芯片檢驗
鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電*大小是否符合工藝要求電*圖案是否完整。
2.LED擴片
由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm)，不利于后工序的操作。采用擴片機對黏結芯片的膜進行擴張，使LED芯片的間距拉伸到約0.6mm。也可以采用手工擴張，但很容易造成芯片掉落浪費等不良問題。
3.LED點膠
在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠。對于GaAs、SiC導電襯底，具有背面電*的紅光、黃光、黃綠芯片，采用銀膠。對于藍寶石絕緣襯底的藍光、綠光LED芯片，采用絕緣膠來固定芯片。
工藝難點在于點膠量的控制，在膠體高度、點膠位置均有詳細的工藝要求。由于銀膠和絕緣膠在貯存和使用均有嚴格的要求，銀膠的醒料、攪拌、使用時間都是工藝上必須注意的事項。
4.LED備膠
和點膠相反，備膠是用備膠機先把銀膠涂在LED背面電*上，然后把背部帶銀膠的LED安裝在LED支架上。備膠的效率遠高于點膠，但不是所有產(chǎn)品均適用備膠工藝。
5.LED手工刺片
將擴張后LED芯片(備膠或未備膠)安置在刺片臺的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片一個一個刺到相應的位置上。手工刺片和自動裝架相比有一個好處，便于隨時更換不同的芯片，適用于需要安裝多種芯片的產(chǎn)品。
6.LED自動裝架
自動裝架其實是結合了沾膠(點膠)和安裝芯片兩大步驟，先在LED支架上點上銀膠(絕緣膠)，然后用真空吸嘴將LED芯片吸起移動位置，再安置在相應的支架位置上。自動裝架在工藝上主要要熟悉設備操作編程，同時對設備的沾膠及安裝精度進行調整。在吸嘴的選用上盡量選用膠木吸嘴，防止對LED芯片表面的損傷，特別是藍、綠色芯片必須用膠木的。因為鋼嘴會劃傷芯片表面的電流擴散層。
7.LED燒結
燒結的目的是使銀膠固化，燒結要求對溫度進行監(jiān)控，防止批次性不良。銀膠燒結的溫度一般控制在150℃，燒結時間2小時。根據(jù)實際情況可以調整到170℃，1小時。絕緣膠一般150℃，1小時。
銀膠燒結烘箱的必須按工藝要求隔2小時(或1小時)打開更換燒結的產(chǎn)品，中間不得隨意打開。燒結烘箱不得再其他用途，防止污染。
8.LED壓焊
壓焊的目的是將電*引到LED芯片上，完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。
LED的壓焊工藝有金絲球焊和鋁絲壓焊兩種。鋁絲壓焊的過程為先在LED芯片電*上壓上*點，再將鋁絲拉到相應的支架上方，壓上第二點后扯斷鋁絲。金絲球焊過程則在壓*點前先燒個球，其余過程類似。
壓焊是LED封裝技術中的關鍵環(huán)節(jié)，工藝上主要需要監(jiān)控的是壓焊金絲(鋁絲)拱絲形狀，焊點形狀，拉力。
9.LED封膠
LED的封裝主要有點膠、灌封、模壓三種。基本上工藝控制的難點是氣泡、多缺料、黑點。設計上主要是對材料的選型，選用結合良好的環(huán)氧和支架。(一般的LED無法通過氣密性試驗)
LED點膠TOP-LED和Side-LED適用點膠封裝。手動點膠封裝對操作水平要求很高(特別是白光LED)，主要難點是對點膠量的控制，因為環(huán)氧在使用過程中會變稠。白光LED的點膠還存在熒光粉沉淀導致出光色差的問題。
LED灌膠封裝 Lamp-LED的封裝采用灌封的形式。灌封的過程是先在LED成型模腔內(nèi)注入液態(tài)環(huán)氧，然后插入壓焊好的LED支架，放入烘箱讓環(huán)氧固化后，將LED從模腔中脫出即成型。
LED模壓封裝 將壓焊好的LED支架放入模具中，將上下兩副模具用液壓機合模并抽真空，將固態(tài)環(huán)氧放入注膠道的入口加熱用液壓頂桿壓入模具膠道中，環(huán)氧順著膠道進入各個LED成型槽中并固化。
10.LED固化與后固化
固化是指封裝環(huán)氧的固化，一般環(huán)氧固化條件在135℃，1小時。模壓封裝一般在150℃，4分鐘。后固化是為了讓環(huán)氧充分固化，同時對LED進行熱老化。后固化對于提高環(huán)氧與支架(PCB)的粘接強度非常重要。一般條件為120℃，4小時。
11.LED切筋和劃片
由于LED在生產(chǎn)中是連在一起的(不是單個)，Lamp封裝LED采用切筋切斷LED支架的連筋。SMD-LED則是在一片PCB板上，需要劃片機來完成分離工作。
12.LED測試
測試LED的光電參數(shù)、檢驗外形尺寸，同時根據(jù)客戶要求對LED產(chǎn)品進行分選。
14LED芯片計數(shù)方法
LED芯片因為大小一般都在大?。盒」β实男酒话惴譃?mil、9mil、12mil、14mil等，跟頭發(fā)一樣細，以前人工計數(shù)時候非常辛苦，而且準確率*底，2012年廈門好景科技有開發(fā)一套專門針對LED芯片計數(shù)的軟件，儀器整合了高清晰度數(shù)字技術來鑒別較困難的計數(shù)問題，LED芯片專用計數(shù)儀設備是由百萬象素工業(yè)專用的CCD和百萬象素鏡頭的硬件，整合了高清晰度圖像數(shù)字技術的軟件組成的，主要用來計算出LED芯片的數(shù)量。該LED芯片專用計數(shù)儀通過高速的圖像獲取及視覺識別處理，準確、快速地計數(shù)LED芯片，操作簡單，使用方便。
該設備裝有新型的照明配置，因照明上的均勻一致性及應用百萬象素的CCD及鏡頭，確保了LED芯片成像的清晰度，配合高技術的計數(shù)軟件，從而保證了計數(shù)的準確度。同時軟件會將每次計數(shù)的結果儲存在數(shù)據(jù)庫中，方便打印與追溯對比分析。
技術參數(shù)：
1．成像特性
鏡頭：12mm、F1.8高保真光學鏡頭
CCD規(guī)格：300萬像素/500萬像素，真彩
圖像拍攝：手動對焦，可專業(yè)級地精細成像LED芯片
圖像調整：手動調整亮度；自動調整對比度、飽和度
2．計數(shù)特性：
快速的計算出LED芯片總數(shù)，可根據(jù)需要折扣數(shù)量，并顯示和輸出計數(shù)結果
可計數(shù)≥5mil (或0.127mm) 不透明LED芯片
可計數(shù)雙電*透明的LED芯片
計數(shù)速度：2000～8000個LED芯片/s的統(tǒng)計速度，無需掃描即成像即計數(shù)
簡便易用：真正一鍵式操作，鼠標一點，結果即現(xiàn)。軟件界面美觀，操作簡便。
15LED芯片參數(shù)釋疑
發(fā)光強度IV：
發(fā)光二*體的發(fā)光強度通常是指法線（對圓柱形發(fā)光管是指其軸線）方向上的發(fā)光強度。若在該方向上輻射強度為（1/683）W/sr時，則發(fā)光1坎德拉（符號為cd）。由于一般LED的發(fā)光二*管強度小，所以發(fā)光強度常用燭光(坎德拉, mcd)作單位。
LED的發(fā)光角度：
-90°- +90°
光譜半寬度Δλ:
它表示發(fā)光管的光譜純度。
半值角θ1/2和視角：
θ1/2是指發(fā)光強度值為軸向強度值一半的方向與發(fā)光軸向（法向）的夾角。
全形：
根據(jù)LED發(fā)光立體角換算出的角度，也叫平面角。
視角：
指LED發(fā)光的較大角度，根據(jù)視角不同，應用也不同，也叫光強角。
半形：
法向0°與較大發(fā)光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是較大發(fā)光強度值與較大發(fā)光強度值/2所對應的夾角。LED的封裝技術導致較大發(fā)光角度并不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是較大發(fā)光強度對應的角度與法向0°之間的夾角。
較大正向直流電流IFm：
允許加的較大的正向直流電流。超過此值可損壞二*體。
允許功耗Pm:
允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的較大值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞LED芯片及器件的分選測試
LED的分選有兩種方法：一是以芯片為基礎的測試分選，二是對封裝好的LED進行測試分選。
(1)芯片的測試分選
LED芯片分選難度很大，主要原因是LED芯片尺寸一般都很小，從9mil到14mil(0.22-0.35毫米)。這樣小的芯片需要微探針才能夠完成測試，分選過程需要*的機械和圖像識別系統(tǒng)，這使得設備的造價變得很高，而且測試速度受到限制。如果按照每月25天計算，每一臺分選機的產(chǎn)能為每月5KK。
從根本上解決芯片測試分選瓶頸問題的關鍵是改善外延片均勻性。如果一片外延片波長分布在2nm之內(nèi)，亮度的變化在+15%之內(nèi)，則可以將這個片子上的所有芯片歸為一檔(Bin)，只要通過測試把不合格的芯片去除即可，將大大增加芯片的產(chǎn)能和降低芯片的成本。在均勻性不是很好的情況下，也可以用測試并把"不合格產(chǎn)品較多"的芯片區(qū)域用噴墨涂抹的方式處理掉，從而快速地得到想要的"合格"芯片，但這樣做的成本太高，會把很多符合其他客房要求的芯片都做為不合格證的廢品處理，較后核算出的芯片成本可能是市場無法接受的水平。
(2)LED的測試分選
封裝后的LED可以按照波長、發(fā)光強度、發(fā)光角度以及工作電壓等進行測試分選。其結果是把LED分成很多檔(Bin)和類別，然后測試分選機會自動地根據(jù)設定的測試標準把LED分裝在不同的Bin盒內(nèi)。由于人們對于LED的要求越來越高，早期的分選機是32Bin，后來增加到64Bin，分Bin的LED技術指標仍然無法滿足生產(chǎn)和市場的需求。
LED測試分選機是在一個特定的工作臺電流下(如20mA)，對LED進行測試，一般還會做一個反向電壓值的測試。如果按照每月25天，每天20小時的工作時間計算，每一臺分選機的產(chǎn)能為每月9KK。
大型顯示屏或其他高檔應用客戶，對LED的質量要求較高。特別是在波長與亮度一致性的要求上很嚴格。假如LED封裝廠在芯片采購時沒有提出嚴格的要求，則這些封裝廠在大量的封裝后會發(fā)現(xiàn)，封裝好的LED中只有很少數(shù)量的產(chǎn)品能滿足某一客戶的要求，其余大部分將變成倉庫里的存貨。這種情形迫使LED封裝廠在采購LED芯片時提出嚴格的要求，特別是波長、亮度和工作臺電壓的指標;比如，過去對波長要求
是+2nm，已提出+0.5nm的要求。這樣對于芯片廠就產(chǎn)生了巨大的壓力，在芯片銷售前必須進行嚴格的分選。
從以上關于LED與LED芯片分選取的分析中可以看出，比較經(jīng)濟的做法是對LED進行測試分選。但是由于LED的種類繁多，有不同的形式，不現(xiàn)的形狀，不同的尺寸，不同的發(fā)光角度，不同的客戶要求，不同的應用要求，這使用權得完全通過LED測試分選取進行產(chǎn)品的分選變得很難操作。所以問題的關鍵又回到MOCVD的外延工藝過程，如何生長出所需波長及亮度的LED外延片是降低成本的關鍵點，這個問題不解決，LED的產(chǎn)能及成本仍將得不到完全解決。但在外延片的均勻度得到控制以前，比較行之有效的方法是解決快速低成本的芯片分選問題。
16LED芯片常遇問題
LED芯片使用常遇到的問題分析：別的封裝進程中也能夠形成正向壓下降，*要緣由有銀膠固化不充分，支架或芯片電*沾污等形成觸摸電阻大或觸摸電阻不穩(wěn)定。
1.正向電壓下降 暗光
A：一種是電*與發(fā)光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，*要由資料襯底低濃度或電*殘缺所形成的。
B：一種是電*與資料為非歐姆觸摸，*要發(fā)生在芯片電*制備進程中蒸騰*層電*時的擠壓印或夾印，散布方位。
正向壓下降的芯片在固定電壓測驗時，經(jīng)過芯片的電流小，然后體現(xiàn)暗點，還有一種暗光表象是芯片自身發(fā)光功率低，正向壓降正常。
2.難壓焊：(*要有打不粘，電*掉落，打穿電*)
A：打不粘：*要因為電*外表氧化或有膠
B：有與發(fā)光資料觸摸不牢和加厚焊線層不牢，其間以加厚層掉落為主。
C：打穿電*：通常與芯片資料有關，資料脆且強度不高的資料易打穿電*，通常GAALAS資料(如高紅，紅外芯片)較GAP資料易打穿電*，
D：壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時刻，壓力，金球巨細，支架定位等進行調整。
3.發(fā)光色彩區(qū)別：
A：同一張芯片發(fā)光色彩有顯著區(qū)別*要是因為外延片資料疑問，ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄，成長是很難確保各區(qū)域組分共同。(組分決議禁帶寬度，禁帶寬度決議波長)。
B：GAP黃綠芯片，發(fā)光波長不會有很大誤差，可是因為人眼對這個波段色彩靈敏，很簡單查出偏黃，偏綠。因為波長是外延片資料決議的，區(qū)域越小，呈現(xiàn)色彩誤差概念越小，故在M/T作業(yè)中有附近選取法。
C：GAP赤色芯片有的發(fā)光色彩是偏橙黃色，這是因為其發(fā)光機理為直接躍進。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易發(fā)生雜質能級偏移和發(fā)光飽滿，發(fā)光是開端變?yōu)槌赛S色。
4.閘流體效應：
A：是發(fā)光二*管在正常電壓下無法導通，當電壓加高到必定程度，電流發(fā)生驟變。
B：發(fā)生閘流體表象緣由是發(fā)光資料外延片成長時呈現(xiàn)了反向夾層，有此表象的LED在IF=20MA時測驗的正向壓降有躲藏性，在運用進程是出于南北*電壓不行大，體現(xiàn)為不亮，可用測驗信息儀器從晶體管圖示儀測驗曲線，也能夠經(jīng)過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn)，小電流下的正向壓降顯著偏大，則能夠是該疑問所形成的。
5.反向漏電：
A：緣由：外延資料，芯片制造，器材封裝，測驗通常5V下反向漏電流為10UA，也能夠固定反向電流下測驗反向電壓。
B：不一樣類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可到達一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。
C：外延形成的反向漏電*要由PN結內(nèi)部布局缺點所形成的，芯片制造進程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液分配銀膠。以避免銀膠經(jīng)過毛細表象爬到結區(qū)。
17LED芯片大功率研究
近年來 LED 上游領域產(chǎn)業(yè)得到迅速的發(fā)展，市場的激烈競爭使得芯片成本降低，然而較之于傳統(tǒng)照明，成本仍然較高，LED 要取代傳統(tǒng)的照明，成本因素成為一個重要方面，而封裝作為決定 LED 光源價格的重要環(huán)節(jié)，未來超低成本 LED 照明需要使用更少的 LED 燈珠，勢必需要尺寸更大的芯片，因此大電流驅動下的高性能的大功率 LED 芯片成為 LED 上游的必爭領域。國內(nèi)外的半導體照明領域的機構和科研院所都在致力于此類高端芯片產(chǎn)業(yè)化的研究和探索，雖然由于生產(chǎn)工藝復雜、產(chǎn)品良率低、以及成本過高因素的制約，仍有許多優(yōu)異的高端產(chǎn)品和先進的制造技術被開發(fā)出來，*大地推動了功率型 LED 芯片的產(chǎn)業(yè)化進程。
業(yè)界認為 LED 照明技術公認的發(fā)展路線為：發(fā)光效率從 2002 年的25lm/w 提高到 2007 年 75lm/w、2012 年其發(fā)光效率將達到 150lm/w，而在 LED芯片商業(yè)化的 2020 年，其發(fā)光效率將突破 200lm/w；發(fā)光成本從 2002 年的 200美元/千流明下降到 2007 年的 20 美元/千流明、2012 年下降到 5 美元/千流明，到 2020 年將降低到 2 美元/千流明；從 2007 年 LED 照明開始進入白熾燈照明領域，到 2012 年進入熒光燈市場，在 2020 年普及取代白熾燈和熒光燈。
全球 LED 市場的規(guī)模年均增長率超過 20%；高亮度 LED 市場的成長更加迅速，1995-2005 年的年均增長率達到 46%，2008 年的市場規(guī)模達到 51 億美元，占 LED 市場的比例由 2001 年的40%增長到 2008 年的 80%以上，保守預估 2012 年的市場規(guī)?？赏竭_ 114 億美元。市場需求拉動了生產(chǎn)環(huán)節(jié)的發(fā)展，也有其他行業(yè)的大型企業(yè)轉戰(zhàn)這一市場。世界不少 500強的巨頭公司都已進* LED 藍海市場。LED 半導體照明作為新型的綠色能源，無論是節(jié)能效益還是經(jīng)濟效益都是非常顯著的，因此各國都在大力地推進 LED 照明普及。
作為新興的產(chǎn)業(yè)，LED 半導體照明仍處在不斷進步的過程中。 業(yè)界認為 LED 芯片發(fā)光效率的發(fā)展路線為：從 2002 年的 25lm/w 提高到 2007 年75lm/w、2012 年發(fā)光效率將普遍達到 150lm/w，而在 2020 年商業(yè)化的 LED 芯片的發(fā)光效率將突破 200lm/w。從 2007 年 LED 照明開始發(fā)展進入白熾燈照明領域，直到 2012年進入熒光燈照明市場，而將在 2020 年普及取代如今的白熾燈和熒光燈。
18LED芯片主要問題
LED 芯片，尤其是大功率 LED 芯片，面臨的主要技術難點主要是以下幾個方面：
1、發(fā)光效率低
雖然各廠家量產(chǎn)的封裝后的白光 LED 出光效率都達到 100lm/w 以上，但是相比較于小尺寸的 LED 芯片，其出光效率依然很低。大尺寸的 LED 芯片由于尺寸較大，當光線在器件內(nèi)部傳播時，光線通過的路程要比小尺寸的芯片經(jīng)過的路程長，導致器件材料對光線的吸收概率較大，大量的光線被限制在器件內(nèi)部無法出射，導致出光效率較低。
2、電流擴散不均勻
對于大功率 LED 芯片而言，需要大的電流驅動（一般為 350mA），為了得到均勻的電流擴散，需設計合理的電*結構以使得電流在 P 型層面得到均勻分布，大功率 LED 芯片由于芯片尺寸較大，同時 P 型層的電流很難在 P 型層面得到均勻擴散導致電流積聚在電*下方，造成電流擁擠效應。由于電流積聚效應，即電流主要集中在電*正下方區(qū)域，橫向擴展比較小，電流分布很不均勻，導致局部電流密度過大。
3、光電特性不穩(wěn)定
由于大功率 LED 芯片器件出光效率底下，大量光線被器件內(nèi)部吸收，這些被吸收的光線在器件內(nèi)部轉換成熱能，造成 LED 芯片結溫的升高，結溫的升高不但會造成光衰嚴，嚴重影響了 LED 芯片的壽命，同時溫度的升高會導致芯片的藍光波峰向長波長方向偏移（即紅移），造成芯片的發(fā)光波長和熒光粉的激發(fā)波長不匹配，也會造成顯色性的降低。
4、產(chǎn)業(yè)化研究光效遠低于實驗室研發(fā)水平
國際上主流的 LED 芯片廠商，雖然實驗室研發(fā)已到達較高的水平，但是產(chǎn)業(yè)化的研究水平依然底下，造成其主要的原因是產(chǎn)業(yè)化不但要考慮到成本的需求同時還要兼顧生產(chǎn)工藝的復雜程度以及芯片良率的問題。
19LED芯片參考資料
1.葉菲菲 ．高光效GaN基LED芯片的設計與制備：華南理工大學 ，2012
2.蘇達 ．大功率LED封裝散熱性能的若干問題研究：浙江大學 ，2008
3.吳躍峰 ．大功率GaN基LED芯片的制備：華南理工大學 ，2013
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