單向可控硅檢測(cè)報(bào)告如何辦理？測(cè)試哪些項(xiàng)目呢？檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)單向可控硅檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案。做檢測(cè)，上百檢！我們只做真實(shí)檢測(cè)。
檢測(cè)周期
一般3-15個(gè)工作日，可加急。
檢測(cè)方式
可寄樣檢測(cè)、目測(cè)檢測(cè)、見(jiàn)證試驗(yàn)、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等。
檢測(cè)費(fèi)用
具體根據(jù)單向可控硅檢測(cè)檢測(cè)數(shù)量和項(xiàng)目而定。詳情請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服。
檢測(cè)產(chǎn)品
0單向可控硅簡(jiǎn)介
可控硅(SCR是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱?？煽毓栌袉蜗?、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、控制方便等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號(hào)就無(wú)法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二*管相比，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂?電流控制；與具有兩個(gè)PN結(jié)的三*管相比，差別在于可控硅對(duì)控制*電流沒(méi)有放大作用?？煽毓鑼?dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)*與陰*間必須加正向電壓，二是控制*也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制*電壓或去掉控制*電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)*至陰*之間的正向電壓，使陽(yáng)*電流小于較小維持電流以下。
1單向可控硅結(jié)構(gòu)控制
單向可控硅為具有三個(gè) PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，由較外層的 P 層、N 層引出兩個(gè)電*――陽(yáng) * A 和陰* K，由中間的 P 層引出控制* G。電路符號(hào)好像為一只二*管，但好多一個(gè)引 出電*――控制*或觸發(fā)* G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。
從控制原理上可等效為一只 PNP 三*管和一只 NPN 三*管的連接電路， 兩管的基*電 流和集電*電流互為通路，具有強(qiáng)烈的正反反饋?zhàn)饔?。一旦?G、K 回路輸入 NPN 管子的 基*電流，由于正反饋?zhàn)饔茫瑑晒軐⒀讣催M(jìn)入飽合導(dǎo)通狀態(tài)?？煽毓鑼?dǎo)通之后，它的導(dǎo)通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋?zhàn)饔脕?lái)維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導(dǎo)通 狀態(tài)?？刂菩盘?hào) UGK 的作用僅僅是觸發(fā)可控硅使其導(dǎo)通，導(dǎo)通之后，控制信號(hào)便失去控制 作用。
單向可控硅的導(dǎo)通需要兩個(gè)條件：
1） A、K 之間加正向電壓；
2） G、K 之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電流信號(hào)，無(wú)論是直流或脈沖信號(hào)。
若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：
1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；
2） 使 A、K 之間電壓反向。
可見(jiàn)，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會(huì)一直保持開(kāi)通狀態(tài)。除非將電源開(kāi)斷一次，才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個(gè)觸發(fā)信號(hào)，則一直保持導(dǎo)通，直到電壓過(guò)零點(diǎn)到 來(lái)，因無(wú)流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也因 A、 K 間電壓反向，而保持于截止?fàn)顟B(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降，很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。可控硅器件控制本質(zhì)上如同三*管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發(fā)電流也 越大。觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過(guò)10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過(guò) 2A。A、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V。
2單向可控硅對(duì)比
雙向可控硅
雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個(gè)PN結(jié)構(gòu)成、有三個(gè)電*的半導(dǎo)體器件。由于主電*的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從N層引出），所以它的電*不像單向可控硅那樣分別叫陽(yáng)*和陰*，而是把與控制*相近的叫做*電*T1，另一個(gè)叫做第二電*T2。雙向可控硅的主要缺點(diǎn)是承受電壓上升率的能力較低。這是因?yàn)殡p向可控硅在一個(gè)方向
單向可控硅的工作原理圖
導(dǎo)通結(jié)束時(shí)，硅片在各層中的載流子還沒(méi)有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開(kāi)關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路。二者比較
單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電*。單向可控硅有陰*（K）、陽(yáng)*（A）、控制*（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)*與另一只陰*相關(guān)連，其引出端稱T1*，其中一只單向硅陰*與另一只陽(yáng)*相連，其引出端稱T2*，剩下則為控制*（G）。
單、雙向可控硅的判別
先任測(cè)兩個(gè)*，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A、K或G、A*（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G*（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K*，黑筆接的為G*，剩下即為A*。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G*，黑筆所接為T1*，余下是T2*。
性能的差別
將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K*，黑筆同時(shí)接通G、A*，在保持黑筆不脫離A*狀態(tài)下斷開(kāi)G*，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開(kāi)A*再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。
對(duì)于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1*，黑筆同時(shí)接G、T2*，在保證黑筆不脫離T2*的前提下斷開(kāi)G*，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對(duì)調(diào)，重復(fù)上述步驟測(cè)一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。
若保持接通A*或T2*時(shí)斷開(kāi)G*，指針立即退回∞位置，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量，對(duì)于單向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K燈仍不息滅，否則說(shuō)明可控硅損壞。
對(duì)于雙向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說(shuō)明是好的。否則說(shuō)明該器件已損壞[2]。
3單向可控硅引腳區(qū)分
對(duì)可控硅的引腳區(qū)分，有的可從外形封裝加以判別，如外殼就為陽(yáng)*，陰*引線比控制*引線長(zhǎng)。從外形無(wú)法判斷的可控硅，可用萬(wàn)用表R×100或R×1K擋，測(cè)量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當(dāng)萬(wàn)用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時(shí)，黑表筆所接的是控制*G，紅表筆所接的是陰*K，余下的一只管腳為陽(yáng)*A。
4單向可控硅性能檢測(cè)
可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。*是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好；第二是當(dāng)陰*和陽(yáng)*間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷，不導(dǎo)通；第三是當(dāng)控制*開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)*和陰*間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通；第四是給控制*加上正向電流，給陰*和陽(yáng)*加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制*電流去掉，仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。
用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的*間電阻，就可對(duì)前三個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰*和陽(yáng)*之間的正反向電阻（控制*不接電壓），此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低，或近于無(wú)窮大，說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)*和控制*之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。
用R×1k或R×100擋，測(cè)控制*和陰*之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制*和陰*之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
萬(wàn)用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽(yáng)*，紅表筆仍接陰*，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰*不動(dòng)，黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)*的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制*，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)*接黑表筆，陰*接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。
5單向可控硅參考資料
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