檢測(cè)報(bào)告圖片

集成電路檢測(cè)需要根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)指定項(xiàng)目、方法進(jìn)行，GB國(guó)標(biāo)、行標(biāo)、外標(biāo)、企標(biāo)、地方標(biāo)準(zhǔn)。集成電路檢測(cè)項(xiàng)目和標(biāo)準(zhǔn)是什么?第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供集成電路檢測(cè)報(bào)告辦理，工程師一對(duì)一服務(wù)，根據(jù)需求選擇對(duì)應(yīng)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)及項(xiàng)目，制定檢測(cè)方案后安排實(shí)驗(yàn)室寄樣檢測(cè)。集成電路檢測(cè)服務(wù)

檢測(cè)周期：常規(guī)3-15個(gè)工作日，可加急（特殊樣品除外）

報(bào)告樣式：電子版、紙質(zhì)，中、英文均可。

報(bào)告資質(zhì)：CMA、CNAS

集成電路檢測(cè)項(xiàng)目：

檢測(cè)項(xiàng)目：

低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)、低溫工作試驗(yàn)、低溫運(yùn)行試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、功率因數(shù)測(cè)量誤差試驗(yàn)、功率測(cè)量誤差試驗(yàn)、功耗試驗(yàn)、可焊性試驗(yàn)、周期中斷功能試驗(yàn)、響應(yīng)時(shí)間試驗(yàn)、增益試驗(yàn)、外觀和尺寸檢查、失效保護(hù)功能試驗(yàn)、工作電流試驗(yàn)、開路/短路、引出端強(qiáng)度試驗(yàn)、抗靜電檢測(cè)試驗(yàn)、抗靜電能力試驗(yàn)、振動(dòng)試驗(yàn)、接收器差分輸入閾值電壓試驗(yàn)、接收器輸入阻抗試驗(yàn)、接收器輸出電壓試驗(yàn)、接收器輸出短路電流試驗(yàn)、接收器輸出高阻態(tài)漏電流試驗(yàn)、接收靈敏度試驗(yàn)、數(shù)字輸入電壓試驗(yàn)、時(shí)鐘功能試驗(yàn)、機(jī)械性能試驗(yàn)、*性判別時(shí)間試驗(yàn)、*限溫度使用試驗(yàn)、溫度沖擊試驗(yàn)、溫度影響量試驗(yàn)、焊錫接合強(qiáng)度試驗(yàn)、電壓信號(hào)采樣通道測(cè)量誤差試驗(yàn)、電壓基準(zhǔn)試驗(yàn)、電流信號(hào)采樣通道測(cè)量誤差試驗(yàn)、電源電流檢測(cè)、電能計(jì)量誤差試驗(yàn)、線性放大試驗(yàn)、耐濕、耐焊接熱試驗(yàn)、自動(dòng)*性判斷和校正試驗(yàn)、諧波影響量試驗(yàn)、過壓保護(hù)功能試驗(yàn)、過流保護(hù)功能試驗(yàn)、通信速率及誤碼率試驗(yàn)、鬧鐘中斷試驗(yàn)、靜態(tài)工作電流、頻率影響量試驗(yàn)、頻率測(cè)量誤差試驗(yàn)、頻率溫度特性試驗(yàn)、頻率電壓特性試驗(yàn)、驅(qū)動(dòng)器共模輸出電壓試驗(yàn)、驅(qū)動(dòng)器差分輸出電壓試驗(yàn)、驅(qū)動(dòng)器輸出短路電流試驗(yàn)、高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)、高溫壽命試驗(yàn)、高溫工作試驗(yàn)、高溫運(yùn)行試驗(yàn)、高溫高濕存儲(chǔ)試驗(yàn)、高溫高濕試驗(yàn)、X射線檢查、剪切強(qiáng)度、外部目檢、密封、恒定加速度、溫度循環(huán)、穩(wěn)定性烘焙、穩(wěn)態(tài)壽命、粒子碰撞噪聲檢測(cè)、粒子碰撞噪聲檢檢測(cè)驗(yàn)、老煉試驗(yàn)、芯片剪切強(qiáng)度、芯片粘接的超聲檢測(cè)、鍵合強(qiáng)度、鍵合強(qiáng)度（破壞性鍵合拉力試驗(yàn)）、靜電放電敏感度的分級(jí)、靜電放電敏感度檢測(cè)/人體模型、靜電放電敏感度檢測(cè)/場(chǎng)感應(yīng)器件放電模型、靜電放電敏感度檢測(cè)/集成電路閂鎖檢測(cè)、掃描電子顯微鏡（SEM）檢查、傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量-1Ω/150Ω直接耦合法、傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量-大電流注入（BCI）法、傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量-直接注入法、汽車電子瞬態(tài)傳導(dǎo)抗擾度（脈沖1，2a、3a、3b)、電快速瞬變脈沖群抗擾度、輻射發(fā)射測(cè)量-TEM小室和寬帶TEM小室法、輻射抗擾度測(cè)量-TEM小室和寬帶TEM小室法、低溫工作壽命檢測(cè)、常溫循環(huán)擦寫后的數(shù)據(jù)保持能力檢測(cè)、常溫循環(huán)擦寫后的數(shù)據(jù)保持能力檢測(cè)和讀操作干擾檢測(cè)、常溫循環(huán)擦寫耐力檢測(cè)、未經(jīng)循環(huán)擦寫的超高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力檢測(cè)、未經(jīng)循環(huán)擦寫的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力檢測(cè)、高溫工作壽命檢測(cè)、高溫循環(huán)擦寫后的超高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力檢測(cè)、高溫循環(huán)擦寫后的高溫工作壽命檢測(cè)、高溫循環(huán)擦寫后的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力檢測(cè)、高溫循環(huán)擦寫耐力檢測(cè)、高溫早期失效檢測(cè)、(運(yùn)算放大器的)短路輸出電流、MOS電路傳輸時(shí)間、MOS電路延遲時(shí)間和轉(zhuǎn)換時(shí)間、串?dāng)_衰減、串?dāng)_衰減（多重放大器）、交變濕熱、低溫、共模輸入電壓范圍、沖擊、分辨時(shí)間、功能驗(yàn)證、動(dòng)態(tài)條件下的總電源電流、動(dòng)態(tài)特性、單位增益頻率、雙*型電路傳輸時(shí)間、雙*型電路延遲時(shí)間和轉(zhuǎn)換時(shí)間、可焊性、響應(yīng)時(shí)間、基準(zhǔn)電壓、備用電流（靜態(tài)電流）、外部目檢和標(biāo)志檢查、存儲(chǔ)器寫恢復(fù)時(shí)間、存儲(chǔ)器地址存取時(shí)間、存儲(chǔ)器片選存取時(shí)間、存儲(chǔ)器讀存取時(shí)間、導(dǎo)通時(shí)間和截止時(shí)間、小信號(hào)輸入阻抗、尺寸、差分放大器的輸出電壓范圍、建立時(shí)間和保持時(shí)間、開環(huán)電壓放大倍數(shù)、引出端之間的絕緣電阻、引出端強(qiáng)度、彎曲試驗(yàn)、強(qiáng)加速濕熱、截止態(tài)和導(dǎo)通態(tài)電流（對(duì)模擬信號(hào)開關(guān)電路）、截止態(tài)開關(guān)隔離、截止頻率、扭轉(zhuǎn)試驗(yàn)、拉力試驗(yàn)、振動(dòng)，掃描頻率、控制饋通電壓、推力試驗(yàn)、數(shù)字集成電路功能檢驗(yàn)、時(shí)序電路的轉(zhuǎn)換頻率、易燃性、*小寫脈沖持續(xù)時(shí)間（脈寬）的檢測(cè)、*高和*低工作溫度下電特性、標(biāo)志耐久性、標(biāo)志耐溶劑性、正向鎖定的輸入/輸出電壓或電流、溫度變化、溫度快速變化、滿輸出電壓幅度的上限頻率、獨(dú)立元件的測(cè)量(外貼元件)、獨(dú)立元件的測(cè)量(淀積膜元件的測(cè)量)、環(huán)境溫度下電特性、電壓檢測(cè)：等效輸入和輸出電容、等效輸入和輸出電阻、電流檢測(cè)：大信號(hào)工作時(shí)的輸入和輸出電容、電檢測(cè)

集成電路檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

1、EN 61967-2:2005 集成電路-電磁發(fā)射測(cè)量，150kHz - 1GHz-第2部分:輻射發(fā)射測(cè)量- TEM小室和寬帶TEM小室法 8

2、GJB4027A-2006 *用電子元器件破壞性物理分析方法 項(xiàng)目1101、項(xiàng)目1102 2.3

3、GB/T12750-2006 半導(dǎo)體器件 集成電路第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范（不包括混合電路） 12.1

4、Q/GDW 11179.14-2015 電能表用元器件技術(shù)規(guī)范 第11部分：計(jì)量芯片 7.4.1

5、IEC 62132-4:2006 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量、150 kHz -1 GHz - 第四部分：直接射頻功率輸入法 8

6、SJ 21473.3-2018 *用集成電路電磁抗擾度測(cè)量方法 第3部分：傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量大電流注入（BCI）法 6

7、GJB548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 2016

8、ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 靜電放電敏感度檢測(cè)，帶電器件模型（CDM）-器件級(jí)

9、GB/T 17574-1998 半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第IV篇 第3節(jié) 4.1.2

10、JESD22-A108F:2017 溫度偏置壽命實(shí)驗(yàn) 4.2.3.2

11、IEC 62215-3:2013 集成電路-脈沖抗擾度測(cè)量-第三部分：異步瞬態(tài)注入法 10 & Annex D

12、GB/T 17940-2000、IEC 60748-3:1986 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 第IV篇 第2節(jié) 17

13、JESD22-A117E:2018 電子可清除可編程ROM編程/清除耐久力和數(shù)據(jù)保持能力檢測(cè) 4.2

14、AEC-Q100-005-REV-D1:2012 可寫可擦除的永久性記憶的耐久性、資料保持及工作壽命的檢測(cè) 3.3

15、JESD47K :2018 IC集成電路壓力檢測(cè)考核 5.5 表 5-1

16、IEC 62132-2:2010 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量，150kHz - 1GHz-第2部分:輻射抗擾度測(cè)量- TEM小室和寬帶TEM小室法 8

17、Q/GDW 11179.11-2015 電能表用元器件技術(shù)規(guī)范 第11部分：串口通信協(xié)議RS-485芯片 7.5.1

18、JEDEC JESD78E-2016 集成電路閂鎖檢測(cè)

19、IEC 62132-3:2007 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量、150 kHz -1 GHz - 第三部分：大電流注入（BCI）法 6

20、AEC-Q100-008-REV-A:2003 早期壽命失效率 3.2

樣品檢測(cè)流程：

1、致電咨詢百檢客服，確認(rèn)樣品及需求。

2、客服安排工程師對(duì)接，根據(jù)需求制定檢測(cè)方案。

3、確認(rèn)方案、報(bào)價(jià)后簽訂合同，安排寄樣檢測(cè)。

4、實(shí)驗(yàn)室根據(jù)需求，對(duì)樣品開展檢測(cè)工作。

5、檢測(cè)結(jié)束，出具樣品檢測(cè)報(bào)告。

6、如需加急請(qǐng)?zhí)崆芭c工程師或客服進(jìn)行溝通。

一份檢測(cè)報(bào)告有什么用?

產(chǎn)品檢測(cè)報(bào)告主要反映了產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)是否達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)中的合格要求，能夠?yàn)槠髽I(yè)產(chǎn)品研發(fā)、投標(biāo)、電商平臺(tái)上架、商超入駐、學(xué)?？蒲刑峁┛陀^的參考。

百檢檢測(cè)特點(diǎn)：

1、檢測(cè)行業(yè)覆蓋面廣，滿足不同的檢測(cè);

2、實(shí)驗(yàn)室全覆蓋，就近分配本地化檢測(cè);

3、工程師一對(duì)一服務(wù)，讓檢測(cè)更準(zhǔn)確

4、免費(fèi)初檢，初檢不收取檢測(cè)費(fèi)用

5、自助下單 快遞免費(fèi)上門取樣;

6、周期短，費(fèi)用低，服務(wù)周到;

7、實(shí)驗(yàn)室CMA、CNAS、CAL資質(zhì);

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：《集成電路檢測(cè)報(bào)告項(xiàng)目和標(biāo)準(zhǔn)介紹》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國(guó)，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。