檢測(cè)報(bào)告圖片

MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)報(bào)告如何辦理?MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)項(xiàng)目和標(biāo)準(zhǔn)是什么?第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)一站式服務(wù)，工程師一對(duì)一服務(wù)，確認(rèn)需求、推薦方案、寄樣送檢、出具報(bào)告、售后服務(wù)，3-15工作日出具報(bào)告，歡迎咨詢MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)服務(wù)

報(bào)告資質(zhì)：CNAS、CMA、CAL

報(bào)告樣式：中英文均可

報(bào)告周期：常規(guī)3-15個(gè)工作日，特殊樣品項(xiàng)目除外。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)項(xiàng)目：

檢測(cè)項(xiàng)目：

二*管正向壓降、柵*漏電流、漏*反向電流、漏源間擊穿電壓、漏源間通態(tài)電壓、漏源間通態(tài)電阻、閾值電壓、柵-源閾值電壓VGS（th）、柵源截止（漏泄）電流IGSS、正向跨導(dǎo)gfs、漏源擊穿電壓 V（BR）DSS、漏源*截止電流IDSS、靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻rDS、柵源截止（漏泄）電流IGSS、正向跨導(dǎo)gfs、漏源擊穿電壓 V（BR）DSS、柵-源閾值電壓VGS（th）、靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻rDS、漏源*截止電流IDSS

MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

1、GB/T4586-1994 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第Ⅳ章6

2、GJB128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 方法3407

3、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T4586-1994

4、MIL-STD-750F:2012 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 4011

5、GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-1997

6、MIL-STD- 750F:2012 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 MIL-STD-750F:2012

百檢檢測(cè)流程：

1、電話溝通、確認(rèn)需求;

2、推薦方案、確認(rèn)報(bào)價(jià);

3、郵寄樣品、安排檢測(cè);

4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋;

5、出具報(bào)告、售后服務(wù);

6、如需加急、優(yōu)先處理;

百檢檢測(cè)報(bào)告用途

銷售：出具檢測(cè)報(bào)告，提成產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

研發(fā)：縮短研發(fā)周期，降低研發(fā)成本。

質(zhì)量：判定原料質(zhì)量，減少生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

診斷：找出問(wèn)題根源，改善產(chǎn)品質(zhì)量。

科研：定制完整方案，提供原始數(shù)據(jù)。

競(jìng)標(biāo)：報(bào)告認(rèn)可度高，提高競(jìng)標(biāo)成功率。

關(guān)于檢測(cè)詳細(xì)信息可先與百檢客服聯(lián)系，后續(xù)會(huì)安排對(duì)應(yīng)工程師對(duì)接。百檢第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)歡迎您的咨詢，期待與您合作。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：《MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)報(bào)告項(xiàng)目和標(biāo)準(zhǔn)介紹》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國(guó)，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。