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快恢復(fù)二極管檢測(cè)報(bào)告如何辦理?測(cè)試哪些項(xiàng)目呢?檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格是多少呢?下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)快恢復(fù)二極管檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案。做檢測(cè),上百檢!我們只做真實(shí)檢測(cè)。
檢測(cè)周期
一般3-15個(gè)工作日,可加急。
檢測(cè)方式
可寄樣檢測(cè)、目測(cè)檢測(cè)、見(jiàn)證試驗(yàn)、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等。
檢測(cè)費(fèi)用
具體根據(jù)快恢復(fù)二極管檢測(cè)檢測(cè)數(shù)量和項(xiàng)目而定。詳情請(qǐng)咨詢(xún)?cè)诰€(xiàn)客服。
檢測(cè)產(chǎn)品
0快恢復(fù)二極管簡(jiǎn)介
快恢復(fù)二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。
1快恢復(fù)二極管分類(lèi)
采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復(fù)二極管,有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽(yáng)和共陰。
應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):
FRD 應(yīng)用拓?fù)?/p>
2快恢復(fù)二極管性能特點(diǎn)
3快恢復(fù)二極管注意事項(xiàng)
1)有些單管,共三個(gè)引腳,中間的為空腳,一般在出廠(chǎng)時(shí)剪掉,但也有不剪的。
2)若對(duì)管中有一只管子損壞,則可作為單管使用。
3)測(cè)正向?qū)▔航禃r(shí),必須使用R×1檔。若用R×1k檔,因測(cè)試電流太小,遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流,故測(cè)出的VF值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇R×1k檔測(cè)量,正向電阻就等于2.2kΩ,此時(shí)n′=9格。由此計(jì)算出的VF值僅0.27V,遠(yuǎn)低于正常值(0.6V)。
4快恢復(fù)二極管區(qū)別
快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng),后者則在100納秒以下。
肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合。
這兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源。
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~!
前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流,超高速~!電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~!
快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.
肖特基二極管:反向耐壓值較低40V-50V,通態(tài)壓降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢復(fù)時(shí)間。它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。
快恢復(fù)二極管:有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.
通常,5~20A的快恢復(fù)二極管采用TO-220FP塑料封裝,20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO-3P塑料封裝,5A一下的快恢復(fù)二極管則采用DO-41,DO-15,或D0-27等規(guī)格塑料封裝。
5快恢復(fù)二極管常見(jiàn)快恢復(fù)二極管參數(shù)表
型號(hào) | 品牌 | 額定電流 | 額定電壓 | 反向恢復(fù)時(shí)間 | 封裝極性 |
IN5817 | GJ | 1A | 20V | 10ns | |
IN5819 | GJ | 1A | 40V | 10ns | |
IN5819 | MOT | 1A | 40V | 10ns | |
IN5822 | MOT | 3A | 40V | 10ns | |
21D-06 | FUI | 3A | 60V | 10ns | |
SBR360 | GI | 3A | 60V | 10ns | |
C81-004 | FUI | 3A | 40V | 10ns | |
8TQ080 | IR | 8A | 80V | 10ns | 單管 |
MBR1045 | MOT | 10A | 45V | 10ns | 單管 |
MBR1545CT | MOT | 15A | 45V | 10ns | 雙管 |
MBR1654 | MOT | 16A | 45V | 10ns | 雙管 |
16CTQ100 | IR | 16A | 100V | 10ns | 雙管 |
MBR2035CT | MOT | 20A | 35V | 10ns | 雙管 |
MBR2045CT | MOT | 20A | 45V | 10ns | 雙管 |
MBR2060CT | MOT | 20A | 60V | 10ns | 雙管 |
MBR20100CT | IR | 20A | 100V | 10ns | 雙管 |
025CTQ045 | IR | 25A | 45V | 10ns | 雙管 |
30CTQ045 | IR | 30A | 45V | 10ns | 雙管 |
C85-009* | FUI | 20A | 90V | 10ns | 雙管 |
D83-004* | FUI | 30A | 40V | 10ns | 雙管 |
D83-009* | FUI | 30A | 90V | 10ns | 雙管 |
MBR4060* | IR | 40A | 60V | 10ns | 雙管 |
MBR30045 | MOT | 300A | 45V | 10ns | |
MUR120 | MOT | 1A | 200V | 35ns | |
MUR160 | MOT | 1A | 600V | 35ns | |
MUR180 | MOT | 1A | 800V | 35ns | |
MUR460 | MOT | 4A | 600V | 35ns | |
BYV95 | PHI | 1.5A | 1000V | 250ns | |
BYV27-50 | PHI | 2A | 55V | 25ns | |
BYV927-100 | PHI | 2A | 100V | 25ns | |
BYV927-300 | PHI | 2A | 300V | 25ns | |
BYW76 | PHI | 3A | 1000V | 200ns | |
BYT56G | PHI | 3A | 600V | 100ns | |
BYT56M | PHI | 3A | 1000V | 100ns | |
BYV26C | PHI | 1A | 600V | 30ns | |
BYV26E | PHI | 1A | 1000V | 30ns | |
FR607 | GI | 6A | 1000V | 200ns | |
MUR8100 | MOT | 8A | 1000V | 35ns | 單管 |
HFA15TB60 | IR | 15A | 600V | 35ns | 單管 |
HFA25TB60 | IR | 25A | 600V | 35ns | 單管 |
MUR30100 | HAR | 30A | 1000V | 35ns | 單管 |
MUR30120 | HAR | 30A | 1200V | 35ns | 單管 |
MUR1620 | PHI | 16A | 200V | 35ns | 雙管 |
MUR1620CT | MOT | 16A | 200V | 35ns | 雙管 |
MUR1620P | MOT | 16A | 200V | 35ns | 雙管 |
MUR1660CT | MOT | 16A | 600V | 35ns | 雙管 |
HFA16TA600 | IR | 16A | 600V | 35ns | 雙管 |
MUR3030 | GI | 30A | 300V | 35ns | 雙管 |
MUR3040 | MOT | 30A | 400V | 35ns | 雙管 |
MUR3060 | MOT | 30A | 600V | 35ns | 雙管 |
HFA30TA600 | IR | 30A | 600V | 35ns | 雙管 |
MUR20040 | MOT | 200A | 400V | 35ns | 雙管 |
B92M-02 | FUI | 20A | 200V | 35ns | 單管 |
C92-02 | FUI | 20A | 200V | 35ns | 雙管 |
D92M-02 | FUI | 30A | 200V | 35ns | 雙管 |
D92M-03 | FUI | 30A | 300V | 35ns | 雙管 |
DSE130-06 | DSET | 30A | 600V | 35ns | 雙管 |
DSE160-06 | DSET | 60A | 600V | 35ns | 雙管 |
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檢測(cè)流程步驟
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