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半導(dǎo)體測試檢測報(bào)告如何辦理？檢測項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些？百檢第三方檢測機(jī)構(gòu)，嚴(yán)格按照半導(dǎo)體測試檢測相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試和評估。做檢測，找百檢。我們只做真實(shí)檢測。

涉及半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)有378條。

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體測試涉及到光電子學(xué)、激光設(shè)備、光學(xué)和光學(xué)測量、金屬材料試驗(yàn)、集成電路、微電子學(xué)、半導(dǎo)體材料、電子元器件綜合、輻射測量、電學(xué)、磁學(xué)、電和磁的測量、半導(dǎo)體分立器件、軟件開發(fā)和系統(tǒng)文件、真空技術(shù)、陶瓷、絕緣材料、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電子電信設(shè)備用機(jī)電元件、光纖通信、無機(jī)化學(xué)、信息技術(shù)用語言、電線和電纜、電子設(shè)備用機(jī)械構(gòu)件、接口和互連設(shè)備、化工產(chǎn)品、整流器、轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓電源、電工器件、無線通信、輸電網(wǎng)和配電網(wǎng)、電工和電子試驗(yàn)、信息技術(shù)應(yīng)用。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體測試涉及到半導(dǎo)體發(fā)光器件、無機(jī)化工原料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、半導(dǎo)體集成電路、激光器件、半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、電力半導(dǎo)體器件、部件、光電子器件綜合、敏感元器件及傳感器、核儀器與核探測器綜合、微電路綜合、通用電子測量儀器設(shè)備及系統(tǒng)、、、、、、半導(dǎo)體光敏器件、元素半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體分立器件綜合、其他、特種陶瓷、日用玻璃、陶瓷、搪瓷、塑料制品綜合、半導(dǎo)體二極管、微波、毫米波二、三極管、半導(dǎo)體整流器件、程序語言、電纜及其附件、電子設(shè)備專用微特電機(jī)、工業(yè)氣體與化學(xué)氣體、電子元器件、半導(dǎo)體三極管、廣播、電視發(fā)送與接收設(shè)備、光通信設(shè)備、電子技術(shù)專用材料、加工專用設(shè)備、數(shù)據(jù)媒體、電子設(shè)備機(jī)械結(jié)構(gòu)件、技術(shù)管理。

國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 39771.2-2021半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第2部分：測試方法

GB/T 37131-2018納米技術(shù)半導(dǎo)體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法

GB/T 1550-2018非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T 36474-2018半導(dǎo)體集成電路 第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器 (DDR3 SDRAM)測試方法

國家質(zhì)檢總局，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 36477-2018半導(dǎo)體集成電路快閃存儲器測試方法

GB/T 4377-2018半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法

GB/T 31359-2015半導(dǎo)體激光器測試方法

GB/T 26070-2010化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法

GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法

GB/T 8446.2-2004電力半導(dǎo)體器件用散熱器第2部分;熱阻和流阻測試方法

GB/T 15651.3-2003半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分;光電子器件測試方法

GB/T 1550-1997非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T 4377-1996半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測試方法的基本原理

GB/T 6798-1996半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理

GB/T 15653-1995金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件測試方法

GB/T 5201-1994帶電粒子半導(dǎo)體探測器測試方法

GB/T 15136-1994半導(dǎo)體集成電路石英鐘表電路測試方法的基本原理

GB/T 14862-1993半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測試方法

GB/T 14115-1993半導(dǎo)體集成電路采樣/保持放大器測試方法的基本原理

GB/T 14114-1993半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理

GB/T 14028-1992半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測試方法的基本原理

GB/T 14031-1992半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測試方法的基本原理

GB/T 14029-1992半導(dǎo)體集成電路模擬乘法器測試方法的基本原理

GB/T 13974-1992半導(dǎo)體管特性圖示儀測試方法

GB/T 14030-1992半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測試方法的基本原理

GB/T 14032-1992半導(dǎo)體集成電路數(shù)字鎖相環(huán)測試方法的基本原理

GB/T 12843-1991半導(dǎo)體集成電路　微處理器及外圍接口電路電參數(shù)測試方法的基本原理

GB/T 8446.2-1987電力半導(dǎo)體器件用散熱器熱阻和流阻測試方法

GB/T 6800-1986半導(dǎo)體集成音響電路音頻功率放大器測試方法的基本原理

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 35006-2018半導(dǎo)體集成電路 電平轉(zhuǎn)換器測試方法

GB/T 14028-2018半導(dǎo)體集成電路 模擬開關(guān)測試方法

GB/T 36005-2018半導(dǎo)體照明設(shè)備和系統(tǒng)的光輻射安全測試方法

GB/T 35007-2018半導(dǎo)體集成電路 低電壓差分信號電路測試方法

未注明發(fā)布機(jī)構(gòu)，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

GB 3442-1986半導(dǎo)體集成電路 運(yùn)算(電壓)放大器測試方法的基本原理

中國團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

T/SHDSGY 113-2022射頻前端半導(dǎo)體測試軟件

T/CASAS 016-2022碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （SiC MOSFET）結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法

T/GVS 005-2022半導(dǎo)體裝備用絕壓電容薄膜真空計(jì)比對法測試規(guī)范

T/CASAS 011.1-2021車規(guī)級半導(dǎo)體功率器件測試認(rèn)證規(guī)范

T/CASAS 011.2-2021車規(guī)級半導(dǎo)體功率模塊測試認(rèn)證規(guī)范

，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

MSZ 700/23.lap-1965意法半導(dǎo)體測試焦炭

MSZ 700/24.lap-1965意法半導(dǎo)體焦炭測試

MSZ 700/27.lap-1962意法半導(dǎo)體測試閃光定義

MSZ 700/36.lap-1961煤礦中半導(dǎo)體測試試驗(yàn)

MSZ 700/26.lap-1961意法半導(dǎo)體測試．快速法測定灰分

MSZ 700/41.lap-1961意法半導(dǎo)體測試．快速測定硫總量

MNOSZ 700-3.lap-1955半導(dǎo)體的模型分析測試實(shí)驗(yàn)室的樣品制備

MNOSZ 700-8.lap-1955意法半導(dǎo)體測試碳和黃疸

國際電工委員會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60749-20:2020半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第20部分:塑料封裝Smds的電阻與水分和焊接熱的組合效應(yīng)

IEC 60749-20-2020半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第20部分:塑料封裝Smds的電阻與水分和焊接熱的組合效應(yīng)

IEC 60749-30-2020半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第30部分:在可靠性測試之前對非密封性表面貼裝器件進(jìn)行預(yù)處理

IEC 60749-30:2020半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第30部分:在可靠性測試之前對非密封性表面貼裝器件進(jìn)行預(yù)處理

IEC 60749-15:2020半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接溫度

IEC 60749-15-2020半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接溫度

IEC 60749-20-1:2019半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第20-1部分:表面貼裝裝置的處理 包裝 標(biāo)簽和運(yùn)輸對水分和焊接熱的綜合影響敏感

IEC 60749-20-1-2019半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第20-1部分:表面貼裝裝置的處理 包裝 標(biāo)簽和運(yùn)輸對水分和焊接熱的綜合影響敏感

IEC 60749-18-2019半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第18部分:電離輻射（總劑量）

IEC 60749-18:2019半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第18部分:電離輻射（總劑量）

IEC 60749-17-2019半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第17部分:中子照射

IEC 60749-13-2018半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第13部分:鹽氣氛

IEC 60749-13:2018半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第13部分:鹽氣氛

IEC 60749-26-2018半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測試 - 人體模型（HBM）

IEC 60749-26:2018半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測試 - 人體模型（HBM）

IEC 62880-1:2017半導(dǎo)體器件 - 應(yīng)力遷移測試標(biāo)準(zhǔn) - 第1部分 - 銅應(yīng)力遷移測試標(biāo)準(zhǔn)

IEC 62880-1-2017半導(dǎo)體器件 - 應(yīng)力遷移測試標(biāo)準(zhǔn) - 第1部分 - 銅應(yīng)力遷移測試標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60749-43-2017半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第43部分:Ic可靠性資格認(rèn)證計(jì)劃指南

IEC 60749-3:2017半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第3部分:外部視覺檢查

IEC 60749-3-2017半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第3部分:外部視覺檢查

IEC 60749-4-2017半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法第4部分:潮濕熱 穩(wěn)態(tài) 高加速應(yīng)力測試（HAST）

IEC 60749-6-2017半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第6部分:高溫儲存

IEC 62047-28-2017半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第28部分:振動(dòng)驅(qū)動(dòng)MEMS駐極體能量收集裝置的性能測試方法

IEC 60749-44:2016半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法第44部分:中子束照射單事件效應(yīng)（見）半導(dǎo)體器件測試方法

IEC 60749-44-2016半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法第44部分:中子束照射單事件效應(yīng)（見）半導(dǎo)體器件測試方法

IEC 62047-16-2015半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第16部分:確定MEMS膜殘余應(yīng)力的測試方法 - 晶片曲率和懸臂梁偏轉(zhuǎn)方法

IEC 62047-17:2015半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第17部分:用于測量薄膜機(jī)械性能的膨脹測試方法

IEC 62047-15-2015半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件第15部分:Pd和玻璃之間的接合強(qiáng)度測試方法

IEC 62047-17-2015半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第17部分:用于測量薄膜機(jī)械性能的膨脹測試方法

IEC 62047-11-2013半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第11部分:用于微機(jī)電系統(tǒng)的自由立體材料的線性熱膨脹系數(shù)的測試方法

IEC 62047-18-2013半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第18部分:薄膜材料的彎曲測試方法

IEC 62047-18:2013半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.第18部分:薄膜材料的彎曲測試方法

IEC 60749-26-2013半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測試 - 人體模型（HBM）

IEC 60749-26:2013半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第26部分:靜電放電敏感性(ESD)測試.人體模型(HBM)

IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第1部分:27:靜電放電（ESD）靈敏度測試-機(jī)器型號（毫米）

IEC 60749-27-2006+AMD1-2012 CSV半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第1部分:27:靜電放電（ESD）靈敏度測試-機(jī)器型號（毫米）

IEC 62047-9 CORR 1:2012半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.第9部分:微機(jī)電系統(tǒng)硅片的硅片鍵合強(qiáng)度測試

IEC 62047-9 Corrigendum 1:2012半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.第9部分:微機(jī)電系統(tǒng)硅片的硅片鍵合強(qiáng)度測試

IEC 62047-13-2012半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第13部分:測量MEMS結(jié)構(gòu)的粘合強(qiáng)度的彎曲和剪切型測試方法

IEC 62047-12-2011半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第12部分:使用諧振器振蕩的薄膜材料的彎曲疲勞測試方法

IEC 62047-12:2011半導(dǎo)體器件.微電機(jī)器件.第12部分:使用MEMS結(jié)構(gòu)共振的薄膜材料的彎曲疲勞測試方法

IEC 60749-30 Edition 1.1:2011半導(dǎo)體器件的機(jī)械和環(huán)境試驗(yàn).第30部分:非密封表面安裝設(shè)備可靠性測試前的預(yù)處理

IEC 62047-10-2011半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第10部分:MEMS材料的微柱壓縮測試

IEC 60749-40-2011半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第40部分:使用應(yīng)變儀的電路板級跌落測試方法

IEC 62047-9:2011半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.第9部分:微機(jī)電系統(tǒng)硅片的硅片鍵合強(qiáng)度測試

IEC 60749-7-2011半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第7部分:內(nèi)部水分含量測量和其他殘留氣體的分析

IEC 60749-30 AMD 1:2011半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第30部分:先于可靠性測試的非密封性表面貼裝設(shè)備的預(yù)處理

IEC 60749-21-2011半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第21部分:可焊性

IEC 60749-29-2011半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第29部分:閂鎖測試

IEC 60749-34-2010半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第34部分:電力循環(huán)

IEC 60749-15-2010半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接溫度

IEC 60749-34:2010半導(dǎo)體器件.機(jī)械和環(huán)境測試方法.第34部分:電力循環(huán)

IEC 62374-1-2010半導(dǎo)體器件 - 第1部分:金屬間時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿（Tddb）測試

IEC 62415-2010半導(dǎo)體器件 - 恒流電遷移測試

IEC 62416:2010半導(dǎo)體器件 - Mos晶體管上的熱載體測試

IEC 62416-2010半導(dǎo)體器件 - Mos晶體管上的熱載體測試

IEC 62417-2010半導(dǎo)體器件 - 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（mosfets）的移動(dòng)離子測試

IEC 62418-2010半導(dǎo)體器件 - 金屬化應(yīng)力空隙測試

IEC 60749-20-1-2009半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第20-1部分:表面貼裝裝置的處理 包裝 標(biāo)簽和運(yùn)輸對水分和焊接熱的綜合影響敏感

IEC 60749-20-2008半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第20部分:塑料封裝Smds的電阻與水分和焊接熱的組合效應(yīng)

IEC 60700-1 AMD 2:2008高壓直流電(HVDC)電力傳輸用半導(dǎo)體閘流管閥.第1部分:電氣測試

IEC 60749-38-2008半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第38部分:具有存儲器的半導(dǎo)體器件的軟錯(cuò)誤測試方法

IEC 60749-37-2008半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第37部分:使用加速度計(jì)的板級跌落測試方法

IEC 62526-2007標(biāo)準(zhǔn)測試接口語言（stil）用于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)環(huán)境

IEC 60191-6-16-2007半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化.第6-16部分:BGA、LGA、FBGA和FLGA用半導(dǎo)體測試和老化插座詞匯表

IEC 62374-2007半導(dǎo)體器件 - 柵極介質(zhì)膜的時(shí)間依賴介質(zhì)擊穿（tddb）測試

IEC 62047-2-2006半導(dǎo)體器件 - 微機(jī)電器件 - 第2部分:薄膜材料的拉伸測試方法

IEC 60749-27-2006半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第27部分:靜電放電（esd）靈敏度測試 - 機(jī)器型號（mm）

IEC 60749-35-2006半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法第35部分:塑料封裝電子元件的聲學(xué)顯微鏡

IEC 60749-27:2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試.機(jī)器模型(MM)

IEC 60749-30-2005半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第30部分:在可靠性測試之前對非密封性表面貼裝器件進(jìn)行預(yù)處理

IEC 60749-33-2004半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第33部分:加速耐濕性 - 無偏壓高壓滅菌器

IEC 60749-24-2004半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第24部分:加速耐濕性 - 無偏差

IEC 60749-23-2004半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第23部分:高溫工作壽命

IEC 60749-27:2003半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電靈敏度測試.機(jī)器模型

IEC 60749-14-2003半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第14部分:終端的魯棒性（引線完整性）

IEC 60749-25-2003半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第25部分:溫度循環(huán)

IEC 60749-17-2003半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第17部分:中子照射

IEC 60749-19-2003半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第19部分:模具剪切強(qiáng)度

IEC 60749-16-2003半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第16部分:粒子撞擊噪聲檢測（PIND）

IEC 60749-18-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第18部分:電離輻射（總劑量）

IEC 60749-22-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第22部分:粘結(jié)強(qiáng)度

IEC 60749-8-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第8部分:密封

IEC 60749-31-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第31部分:塑料封裝器件的易燃性（內(nèi)部誘導(dǎo)）

IEC 60749-1-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第1部分:總則

IEC 60749-32-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第32部分:塑料封裝器件的易燃性（外部誘導(dǎo)）

IEC 60748-23-2-2002半導(dǎo)體器件 - 集成電路 - 第23-2部分:混合集成電路和薄膜結(jié)構(gòu) - 制造線認(rèn)證 - 內(nèi)部目視檢查和特殊測試

IEC 60749-11-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第11部分:溫度快速變化 - 雙流體浴法

IEC 60749-4-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法第4部分:潮濕熱 穩(wěn)態(tài) 高加速應(yīng)力測試（HAST）

IEC 60749-2-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第2部分:低氣壓

IEC 60749-13-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第13部分:鹽氣氛

IEC 60749-6-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第6部分:高溫儲存

IEC 60749-3-2002半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測試方法 - 第3部分:外部目視檢查

IEC 60747-5-3:1997半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第5-3部分:光電子器件 測試方法

IEC 60759-1983半導(dǎo)體X射線能譜儀的標(biāo)準(zhǔn)測試程序

美國材料與試驗(yàn)協(xié)會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

ASTM D4325-20非金屬半導(dǎo)體和電絕緣橡膠膠帶的標(biāo)準(zhǔn)測試方法

ASTM D6095-12(2018)用于擠出交聯(lián)和熱塑性半導(dǎo)體導(dǎo)體和絕緣屏蔽材料的體積電阻率的縱向測量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法

ASTM F616M-96測量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)排漏電流的標(biāo)準(zhǔn)測試方法(米制單位)

ASTM F616M-96(2003)測量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)排漏電流的標(biāo)準(zhǔn)測試方法(米制單位)

ASTM E1161-95半導(dǎo)體和電子元件的放射性的測試方法

工業(yè)和信息化部，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

YS/T 679-2018非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長度的測試表面光電壓法

SJ/T 11706-2018半導(dǎo)體集成電路 現(xiàn)場可編程門陣列測試方法

SJ/T 11702-2018半導(dǎo)體集成電路 串行外設(shè)接口測試方法

SJ/T 10805-2018半導(dǎo)體集成電路 電壓比較器測試方法

SJ/T 11577-2016SJ/T 11394-2009 《半導(dǎo)體發(fā)光二極管測試方法》應(yīng)用指南

SJ/T 2749-2016半導(dǎo)體激光二極管測試方法

貴州省地方標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

DB52/T 1104-2016半導(dǎo)體器件結(jié)-殼熱阻瞬態(tài)測試方法

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

SJ/T 2215-2015半導(dǎo)體光電耦合器測試方法

SJ/T 2214-2015半導(dǎo)體光電二極管和光電晶體管測試方法

SJ/T 11399-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測試方法

SJ/T 11394-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管測試方法

SJ/T 10741-2000半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理

SJ/T 10804-2000半導(dǎo)體集成電路.電平轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理

SJ/T 10805-2000半導(dǎo)體集成電路.電壓比較器測試方法的基本原理

SJ 20787-2000半導(dǎo)體橋式整流器熱阻測試方法

SJ 20788-2000半導(dǎo)體二極管熱阻抗測試方法

SJ/T 10482-1994半導(dǎo)體中深能級的瞬態(tài)電容.測試方法

SJ/T 10427.2-1993半導(dǎo)體集成電路音響電路中頻放大器測試方法的基本原理

SJ/T 10427.1-1993半導(dǎo)體集成電路音響電路調(diào)頻變頻器測試方法的基本原理

SJ/T 10402-1993半導(dǎo)體集成音響電路自動(dòng)選曲電路.測試方法的基本原理

SJ/T 10400-1993半導(dǎo)體集成音響電路圖示均衡電路.測試方法的基本原理

SJ/T 10401-1993半導(dǎo)體集成音響電路馬達(dá)穩(wěn)速電路.測試方法的基本原理

SJ 20026-1992金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件測試方法

SJ 2749-1987半導(dǎo)體激光二極管測試方法

SJ 2757-1987重?fù)桨雽?dǎo)體載流子濃度的紅外反射測試方法

SJ 2355.7-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.發(fā)光峰值波長和光譜半寬度的測試方法

SJ 2355.3-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.反向電流的測試方法

SJ 2355.6-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.光通量的測試方法

SJ 2355.2-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.正向壓降的測試方法

SJ 2355.5-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.法向光強(qiáng)和半強(qiáng)度角的測試方法

SJ 2355.4-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.結(jié)電容的測試方法

SJ 2355.1-1983半導(dǎo)體發(fā)光器件測試方法.總則

SJ 2215.11-1982半導(dǎo)體光耦合器脈沖、上升、下降、延遲、貯存時(shí)間的測試方法

SJ 2214.7-1982半導(dǎo)體光敏三極管飽和壓降的測試方法

SJ 2215.14-1982半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣耐壓的測試方法

SJ 2215.2-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）正向壓降的測試方法

SJ 2214.2-1982半導(dǎo)體光敏二極管正向壓降的測試方法

SJ 2214.5-1982半導(dǎo)體光敏二極管結(jié)電容的測試方法

SJ 2215.6-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）結(jié)電容的測試方法

SJ 2214.9-1982半導(dǎo)體光敏二、三極管脈沖上升、下降時(shí)間的測試方法

SJ 2215.3-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）正向電流的測試方法

SJ 2215.13-1982半導(dǎo)體光耦合器入出間絕緣電阻的測試方法

SJ 2214.3-1982半導(dǎo)體光敏二極管暗電流的測試方法

SJ 2215.9-1982半導(dǎo)體光耦合器（三極管）反向截止電流的測試方法

SJ 2215.1-1982半導(dǎo)體光耦合器測試方法總則

SJ 2215.8-1982半導(dǎo)體光耦合器輸出飽和壓降的測試方法

SJ 2215.4-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）反向電流的測試方法

SJ 2215.10-1982半導(dǎo)體光耦合器直流電流傳輸比的測試方法

SJ 2214.6-1982半導(dǎo)體光敏三極管集電極.發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法

SJ 2214.4-1982半導(dǎo)體光敏二極管反向擊穿電壓的測試方法

SJ 2214.10-1982半導(dǎo)體光敏二、三極管光電流的測試方法

SJ 2214.8-1982半導(dǎo)體光敏三極管暗電流的測試方法

SJ 2215.7-1982半導(dǎo)體光耦合器集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法

SJ 2214.1-1982半導(dǎo)體光敏管測試方法總則

SJ 2215.12-1982半導(dǎo)體光耦合器入出間隔離電容的測試方法

SJ 2215.5-1982半導(dǎo)體光耦合器（二極管）反向擊穿電壓的測試方法

SJ 2065-1982半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用擴(kuò)散爐測試方法

SJ 1488-1979反向阻斷型高頻半導(dǎo)體閘流管額定高頻通態(tài)平均電流IT的測試方法

SJ 1267-1977半導(dǎo)體器件用散熱器在自然空氣冷卻狀態(tài)下的熱阻測試方法

SJ/T 10880-1996半導(dǎo)體集成音響電路立體聲解碼器測試方法的基本原理

SJ 2658.7-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.輻射通量的測試方法

SJ/T 10736-1996半導(dǎo)體集成電路 HTL電路測試方法的基本原理

SJ/T 10800-1996半導(dǎo)體集成接口電路讀出放大器測試方法的基本原理

SJ/T 10803-1996半導(dǎo)體集成接口電路線電路測試方法的基本原理

SJ/T 11006-1996半導(dǎo)體電視集成電路行場掃描電路測試方法的基本原理

SJ/T 10741-1996半導(dǎo)體集成電路ＣＭＯＳ電路測試方法的基本原理

SJ/T 10801-1996半導(dǎo)體集成接口電路磁芯存儲器驅(qū)動(dòng)器測試方法的基本原理

SJ/T 10879-1996半導(dǎo)體集成音響電路音頻前置放大器測試方法的基本原理

SJ/T 11007-1996半導(dǎo)體電視集成電路視頻信號和色信號處理電路測試方法的基本原理

SJ/T 10735-1996半導(dǎo)體集成電路 TTL電路測試方法的基本原理

SJ 2658.13-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.輸出光功率溫度系數(shù)的測試方法

SJ 2658.9-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.輻射強(qiáng)度空間分布和半強(qiáng)度角的測試方法

SJ/T 11004-1996半導(dǎo)體電視集成電路圖象通道電路測試方法的基本原理

SJ/T 10738-1996半導(dǎo)體集成電路 運(yùn)算（電壓）放大器測試方法的基本原理

SJ/T 10740-1996半導(dǎo)體集成電路 雙極型隨機(jī)存儲器測試方法的基本原理

SJ/T 10882-1996半導(dǎo)體集成電路線性放大器測試方法的基本原理

SJ/T 10804-1996半導(dǎo)體集成接口電路電平轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理

SJ/T 10881-1996半導(dǎo)體集成音響電路電平指示驅(qū)動(dòng)器測試方法的基本原理

SJ/T 10737-1996半導(dǎo)體集成電路 ECL電路測試方法的基本原理

SJ/T 11005-1996半導(dǎo)體電視集成電路伴音通道電路測試方法的基本原理

SJ/T 10818-1996半導(dǎo)體集成非線性電路數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理

SJ 2658.5-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.正向串聯(lián)電阻的測試方法

SJ 2658.2-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.正向壓降測試方法

SJ 2658.12-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.峰值發(fā)射波長和光譜半寬度的測試方法

SJ 2658.4-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.電容的測試方法

SJ 2658.11-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.脈沖響應(yīng)特性的測試方法

SJ 2658.3-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.反向電壓測試方法

SJ 2658.1-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.總則

SJ 2658.6-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.輸出光功率的測試方法

SJ 2658.8-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.法向輻射率的測試方法

SJ 2658.10-1986半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測試方法.調(diào)制寬帶的測試方法

SJ/T 10806-1996半導(dǎo)體集成接口電路顯示驅(qū)動(dòng)器測試方法的基本原理

SJ/T 10739-1996半導(dǎo)體集成電路 MOS隨機(jī)存儲器測試方法的基本原理

SJ/T 10802-1996半導(dǎo)體集成接口電路外圍驅(qū)動(dòng)器測試方法的基本原理

SJ/T 10805-1996半導(dǎo)體集成接口電路電壓比較器測試方法的基本原理

德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

DIN 50451-3-2014半導(dǎo)體工藝用材料測試. 液體中痕量元素測定. 第3部分: 使用電感耦合等離子體質(zhì)譜法 (ICP-MS) 測定高純度硝酸中的31種元素

DIN 50451-6-2014半導(dǎo)體工藝用材料測試. 液體中痕量元素測定. 第6部分: 測定含有氫氟酸的高純度氟化銨溶液蝕刻混合物和高純度氟化銨溶液 (NH4F) 中的36種元素

DIN EN 62047-12-2012半導(dǎo)體器件.微電機(jī)器件.第12部分:使用MEMS結(jié)構(gòu)共振的薄膜材料的彎曲疲勞測試方法(IEC 62047-12-2011).德文版本EN 62047-12-2011

DIN EN 60749-30-2011半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第30部分:可靠性測試前非密封表面安裝設(shè)備預(yù)處理(IEC 60749-30-2005+A1-2011).德文版 EN 60749-30-2005+A1-2011

DIN 50451-5-2010半導(dǎo)體工藝用材料測試.液體中痕量元素測定.第5部分:在每千克微克和每千克豪微克范圍之內(nèi)的痕量元素測定用樣品和樣品制備裝置的材料選擇及其適用性試驗(yàn)指南

DIN 50451-4-2007半導(dǎo)體工藝用材料測試.液體中痕量元素測定.用電感耦合等離子體質(zhì)譜測定法測定純凈水中34中微量元素

DIN 50450-9-2003半導(dǎo)體工藝材料測試.載氣和摻雜氣體雜質(zhì)測定.第9部分:用氣相色譜法測定氣態(tài)氯化氫中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氫和C<下標(biāo)1>-C<下標(biāo)3>-烴類含量

DIN 50451-3-2003半導(dǎo)體工藝用材料測試.液體中痕量元素測定.第3部分:用電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定硝酸中鋁(AL)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈉(Na)、鎳(Ni)和鋅(Zn)的含量

DIN 50451-2-2003半導(dǎo)體工藝材料測試.液體中痕量元素測定.第2部分:用等離子感應(yīng)發(fā)射分光光度測定法測定氫氟酸中鈷(Co)、鉻(Cr)、銅(Ca)、鐵(Fe)和鎳(Ni)的含量

英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

BS EN 60749-26-2014半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.靜電放電(ESD)靈敏度測試.人體模型(HBM)

BS ISO 14605:2013細(xì)陶瓷 (現(xiàn)代陶瓷, 高級工業(yè)陶瓷). 室內(nèi)照明環(huán)境下使用的半導(dǎo)體光催化材料的測試光源

BS EN 62047-18-2013半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電裝置.薄膜材料的彎曲測試方法

BS EN 60749-29-2011半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候耐受性試驗(yàn)方法.閂鎖效應(yīng)測試

BS ISO 10677:2011精細(xì)陶瓷(高級陶瓷,高級技術(shù)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料測試用紫外光源

BS EN 60749-34-2010半導(dǎo)體器件.機(jī)械和環(huán)境測試方法.動(dòng)力循環(huán)

BS IEC 62526:2007半導(dǎo)體設(shè)計(jì)環(huán)境用標(biāo)準(zhǔn)測試接口語言(STIL)的擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)

BS EN 60191-6-16-2007半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化.球柵陣列封裝(BGA),柵格陣列(LGA),柵陣列(FBGA)和距基板柵格陣列(FLGA)用老化插座和半導(dǎo)體測試的術(shù)語表

BS EN 62047-3-2006半導(dǎo)體器件.微機(jī)電設(shè)備.拉伸測試的薄膜標(biāo)準(zhǔn)試樣

BS EN 60749-27-2006+A1-2012半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.靜電放電(ESD)靈敏度測試.機(jī)器模型(MM)

BS EN 60749-27-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.靜電放電(ESD)靈敏度測試.機(jī)器模型(MM)

BS EN 60749-26-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.靜電放電(ESD)靈敏度測試.人體模型(HBM)

BS EN 60749-30-2005半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第30部分:可靠性測試之前非氣密表面安裝器件的預(yù)調(diào)試

日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

JIS C5630-12-2014半導(dǎo)體器件.微電機(jī)器件.第12部分:使用MEMS結(jié)構(gòu)共振的薄膜材料的彎曲疲勞測試方法

JIS R1750-2012精細(xì)陶瓷.室內(nèi)光環(huán)境下測試半導(dǎo)體光催化材料用光源

JIS C5630-6-2011半導(dǎo)體器件.微電機(jī)裝置.第6部分:薄膜材料的軸向疲勞測試方法

JIS C5630-2-2009半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.第2部分:薄膜材料的拉伸測試方法

JIS C5630-3-2009半導(dǎo)體器件.微型機(jī)電器件.第3部分:拉伸測試用薄膜標(biāo)準(zhǔn)試樣

法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

NF B44-105-2013細(xì)陶瓷 (現(xiàn)代陶瓷, 高級工業(yè)陶瓷) - 室內(nèi)照明環(huán)境下使用的半導(dǎo)體光催化材料的測試光源

NF C96-050-10-2012半導(dǎo)體器件.微電子機(jī)械器件.第10部分:MEMES材料微極壓縮測試

NF C96-050-12-2012半導(dǎo)體器件 - 微型機(jī)電裝置 - 第12部分: 使用MEMS結(jié)構(gòu)共振的薄膜材料的彎曲疲勞測試方法.

NF C96-050-9-2012半導(dǎo)體器件 - 微型機(jī)電裝置 - 第9部分: 微機(jī)電系統(tǒng)硅片的硅片鍵合強(qiáng)度測試.

NF B44-103-2011細(xì)瓷(高級陶瓷,高級工業(yè)陶瓷).測試半導(dǎo)體光催化材料所用的紫外光源.

NF C96-022-19/A1-2011半導(dǎo)體裝置抗機(jī)械及氣候影響性能的測試方法.第19部分:晶片抗切強(qiáng)度.

NF C96-022-15-2011半導(dǎo)體器件.機(jī)械和環(huán)境測試方法.第15部分:引腳插入式封裝設(shè)備的耐釬焊溫度.

NF C96-022-27-2006半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試.機(jī)器模型(MM)

NF C96-022-26-2006半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試.人體模型(HBM)

NF C53-225-1985直流高壓電力傳輸用半導(dǎo)體電子管的測試

國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

ISO 14605:2013精細(xì)陶瓷(高級陶瓷,高級工藝陶瓷).室內(nèi)照明環(huán)境用測試半導(dǎo)體光電材料光源

ISO 10676:2010精細(xì)陶瓷(高級陶瓷,高級工藝陶瓷).利用活性氧形成能力測定半導(dǎo)體光催化材料的水凈化性能的測試方法

ISO 27447:2009精細(xì)陶瓷.(高級陶瓷,高級工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的抗菌活性用測試方法

韓國標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

KS L ISO 10676:2012精細(xì)陶瓷(高級陶瓷、高級工藝陶瓷).利用活性氧形成能力測定半導(dǎo)體光催化材料的水凈化性能的測試方法

KS L ISO 27447:2011精細(xì)陶瓷(高級陶瓷、高級工業(yè)陶瓷).半導(dǎo)體光催化材料的抗菌活性用測試方法

KS C 6520-2008半導(dǎo)體工藝零件的等離子耐磨性測試

KS C IEC 60749-34:2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和環(huán)境測試方法.第34部分:電力循環(huán)

KS C IEC 60747-5-3:2004半導(dǎo)體分立器件和集成電路.第5-3部分:光電子器件.測試方法

KS C 6565-2002半導(dǎo)體加速度傳感器的測試方法

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-郵電通信，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

YD/T 2001.2-2011用于光纖系統(tǒng)的半導(dǎo)體光電子器件第2部分：測試方法

YD/T 701-1993半導(dǎo)體激光二極管組件測試方法

歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

EN 62047-9-2011半導(dǎo)體器件.微型電機(jī)裝置.第9部分:微型電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)硅片的硅片鍵合強(qiáng)度測試

EN 62418-2010半導(dǎo)體器件.金屬壓力空隙測試

EN 60749-27-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試.機(jī)器模型(MM)IEC 60749-27-2006

EN 60749-39-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第39部分:半導(dǎo)體元器件用有機(jī)材料濕氣擴(kuò)散率和水溶率的測試 IEC 60749-39-2006

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-有色金屬，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

YS/T 679-2008非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法

美國國防后勤局，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

DLA SMD-5962-94615 REV A-2007硅單片,裝有三態(tài)輸出,TTL可兼容輸入的寄存的總線收發(fā)器的掃描測試設(shè)置,改進(jìn)型氧化物半導(dǎo)體雙極數(shù)字微型電路

DLA SMD-5962-94616 REV A-2007硅單片,裝有三態(tài)輸出,TTL可兼容輸入的總線收發(fā)器及寄存器的掃描測試設(shè)置,改進(jìn)型氧化物半導(dǎo)體雙極數(shù)字微型電路

DLA SMD-5962-93186 REV B-2007硅單片,裝有三態(tài)輸出,TTL可兼容輸入的八位總線收發(fā)器的掃描測試設(shè)置,改進(jìn)型氧化物半導(dǎo)體雙極數(shù)字微型電路

DLA SMD-5962-94586 REV A-2007硅單片,裝有三態(tài)輸出,TTL可兼容輸入的八位總線收發(fā)器及寄存器的掃描測試設(shè)置,改進(jìn)型氧化物半導(dǎo)體雙極數(shù)字微型電路

DLA SMD-5962-93228 REV B-2005硅單片,測試總線收發(fā)器,氧化物半導(dǎo)體數(shù)字微型電路

DLA SMD-5962-94601 REV B-1996硅單片,裝有三態(tài)輸出,TTL可兼容輸入的18位總線收發(fā)器及寄存器的掃描測試設(shè)置,改進(jìn)型氧化物半導(dǎo)體雙極數(shù)字微型電路

DLA SMD-5962-95614-1995先進(jìn)雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 18-BIT母線無線電收發(fā)機(jī)掃描測試裝置,三狀態(tài)輸出量,和晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路

DLA SMD-5962-91746-1994硅單塊 倒轉(zhuǎn)三態(tài)輸出,帶八進(jìn)制緩沖器的掃描測試裝置,雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字微型電路

DLA SMD-5962-91725-1994硅單塊 晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸出,帶八進(jìn)制D型止動(dòng)栓的掃描測試裝置,雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字微型電路

DLA SMD-5962-91726-1994硅單塊 三態(tài)輸出,帶八進(jìn)制緩沖器的掃描測試裝置,雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,數(shù)字微型電路

美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

ANSI/IEEE 1450.1:2005半導(dǎo)體設(shè)計(jì)環(huán)境用標(biāo)準(zhǔn)測試接口語言(STIL)(IEEE Std. 1450-1999)擴(kuò)展的標(biāo)準(zhǔn)

美國電氣電子工程師學(xué)會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

IEEE 1450.1:2005半導(dǎo)體設(shè)計(jì)環(huán)境用標(biāo)準(zhǔn)測試接口語言的擴(kuò)展(STIL)(IEEE Std 1450-1999)

IEEE 660:1986半導(dǎo)體存儲器測試圖語言

(美國)固態(tài)技術(shù)協(xié)會,隸屬EIA，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC JESD22-B108A-2003表面裝貼半導(dǎo)體儀器的共面性測試

JEDEC JEP140-2002半導(dǎo)體珠狀溫度測試

JEDEC JESD66-1999半導(dǎo)體閘流管電涌保護(hù)設(shè)備分級認(rèn)證和特征測試的瞬時(shí)電壓抑止器標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC JESD57-1996重離子輻射中半導(dǎo)體設(shè)備的單粒子效應(yīng)測量的測試規(guī)程

JEDEC JESD390A-1981半導(dǎo)體邏輯閘控微電路噪聲安全系數(shù)標(biāo)準(zhǔn)測試程序

電子與信息技術(shù)協(xié)會（US-GEIA改名為US-TECHAMERICA)，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

GEIA SSB-1.004-1999失敗率測試 附件SSB-1 *事,航空航天和其他方面用塑料包裹微型電路和半導(dǎo)體指南

GEIA SSB-1.002-1999環(huán)境測試和相關(guān)失敗機(jī)制 附件SSB-1,*事,航空航天和其他方面用塑料包裹微型電路和半導(dǎo)體指南

澳大利亞標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

AS/NZS 1660.2.5-1998電纜、包皮和導(dǎo)體的測試方法 絕緣、擠壓半導(dǎo)體屏蔽和非金屬外殼 1kV以上電纜的特定方法

AS/NZS 1660.2.3-1998電纜、包皮和導(dǎo)體的測試方法 絕緣、擠壓半導(dǎo)體屏蔽和非金屬外殼 PVC和鹵素?zé)崴苄运芰喜牧系奶囟ǚ椒?/p>

AS/NZS 1660.2.2-1998電纜、包皮和導(dǎo)體的測試方法 絕緣、擠壓半導(dǎo)體屏蔽和非金屬外殼 人造橡膠、XLPE和XLPVC材料的特定方法

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-航天，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

QJ 3044-1998半導(dǎo)體集成電路數(shù)/模轉(zhuǎn)換器和模/數(shù)轉(zhuǎn)換器測試方法

QJ 2660-1994半導(dǎo)體集成電路.開關(guān)電源脈寬調(diào)制器測試方法

QJ 2491-1993半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器測試方法

QJ 1460-1988半導(dǎo)體集成電路寬帶放大器測試方法

QJ 257-1977半導(dǎo)體TTL集成數(shù)字電路測試方法

QJ 259-1977半導(dǎo)體集成穩(wěn)壓電源測試方法

QJ 1528-1988半導(dǎo)體集成電路時(shí)基器測試方法

QJ 1526-1988半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器特殊參數(shù)測試方法

QJ 260-1977半導(dǎo)體集成相敏整流電路測試方法

QJ/Z 32-1977半導(dǎo)體集成比較放大器測試方法

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-機(jī)械，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

JB/T 6307.3-1992電力半導(dǎo)體模塊測試方法.整流管三相橋

JB/T 6307.1-1992電力半導(dǎo)體模塊測試方法.整流管臂對

JB/T 6307.2-1992電力半導(dǎo)體模塊測試方法.整流管單相橋

JB/T 6307.4-1992電力半導(dǎo)體模塊測試方法.雙極型晶體管臂和臂對

JB/T 6307.5-1994電力半導(dǎo)體模塊測試方法雙極型晶體管單相橋和三相橋

地方標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

CNS 8106-1981金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管飽和臨界電壓測試法

CNS 8104-1981金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管線性臨界電壓測試法

CNS 6802-1980半導(dǎo)體邏輯閘微電路噪聲界限之測試程序

CNS 5751-1980電子組件與半導(dǎo)體應(yīng)用之陶質(zhì)視在密度測試法

美國電子元器件、組件及材料協(xié)會，關(guān)于半導(dǎo)體測試的標(biāo)準(zhǔn)

ECA CB 5-1-1971半導(dǎo)體熱驅(qū)散設(shè)備的推薦測試程序 CB5的附錄

ECA CB 5-1969半導(dǎo)體熱驅(qū)散設(shè)備的推薦測試程序

檢測報(bào)告有效期

一般半導(dǎo)體測試檢測報(bào)告上會標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間，不會標(biāo)注有效期。

檢測費(fèi)用價(jià)格

需要根據(jù)檢測項(xiàng)目、樣品數(shù)量及檢測標(biāo)準(zhǔn)而定，請聯(lián)系我們確定后報(bào)價(jià)。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容為部分列舉，僅供參考使用。更多檢測問題請咨詢客服。