檢測(cè)報(bào)告圖片

半導(dǎo)體靜電檢測(cè)報(bào)告如何辦理？檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些？百檢第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)，嚴(yán)格按照半導(dǎo)體靜電檢測(cè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試和評(píng)估。做檢測(cè)，找百檢。我們只做真實(shí)檢測(cè)。

涉及半導(dǎo)體靜電的標(biāo)準(zhǔn)有36條。

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體靜電涉及到半導(dǎo)體分立器件、航空航天制造用材料。

在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中，半導(dǎo)體靜電涉及到輸變電設(shè)備、半導(dǎo)體分立器件綜合、航空與航天用金屬鑄鍛材料。

國(guó)際電工委員會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體靜電的標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60749-28:2022半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗(yàn).帶電器件模型（CDM）.器件級(jí)

IEC 60749-28-2022半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗(yàn).帶電器件模型（CDM）.器件級(jí)

IEC 60749-28:2022 RLV半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗(yàn).帶電器件模型（CDM）.器件級(jí)

IEC 60749-28-2022 RLV半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗(yàn).帶電器件模型（CDM）.器件級(jí)

IEC 60749-26:2018半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測(cè)試 - 人體模型（HBM）

IEC 60749-26-2018半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測(cè)試 - 人體模型（HBM）

IEC 60749-28-2017半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 - 第28部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗(yàn) - 帶電器件模型（CDM） - 器件電平

IEC 60749-28:2017半導(dǎo)體器件. 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法. 第28部分: 靜電放電(ESD)靈敏度試驗(yàn). 帶電器件模型(CDM). 器件級(jí)

IEC 60749-26-2013半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 - 第26部分:靜電放電（ESD）靈敏度測(cè)試 - 人體模型（HBM）

IEC 60749-26:2013半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第26部分:靜電放電敏感性(ESD)測(cè)試.人體模型(HBM)

IEC 60749-27-2006+AMD1-2012 CSV半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第1部分:27:靜電放電（ESD）靈敏度測(cè)試-機(jī)器型號(hào)（毫米）

IEC 60749-27:2006/AMD1:2012修改件1.半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗(yàn).機(jī)器模型（MM）

IEC 60749-27-2006/AMD1-2012修改件1.半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電（ESD）靈敏度試驗(yàn).機(jī)器模型（MM）

IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第1部分:27:靜電放電（ESD）靈敏度測(cè)試-機(jī)器型號(hào)（毫米）

IEC 60749-27 AMD 1:2012半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢驗(yàn).機(jī)器模型(MM).修改件1

IEC 60749-27 Edition 2.1:2012半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢測(cè).機(jī)械模型(MM)

IEC 60749-27-2006半導(dǎo)體器件 - 機(jī)械和氣候測(cè)試方法 - 第27部分:靜電放電（esd）靈敏度測(cè)試 - 機(jī)器型號(hào)（mm）

IEC 60749-27:2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試.機(jī)器模型(MM)

IEC 60749-26:2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第26部分:靜電放電敏感性 (ESD)試驗(yàn).人體模型(HBM)

IEC 60749-27:2003半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電靈敏度測(cè)試.機(jī)器模型

IEC 60749-26:2003半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第26部分:靜電放電敏感性試驗(yàn).人體模型

，關(guān)于半導(dǎo)體靜電的標(biāo)準(zhǔn)

PNS IEC 60749-28:2021半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第28部分：靜電放電（ESD）靈敏度試驗(yàn).帶電器件模型（CDM）.器件級(jí)

英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體靜電的標(biāo)準(zhǔn)

BS EN 60749-28-2017半導(dǎo)體器件. 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法. 靜電放電(ESD)靈敏度試驗(yàn). 帶電器件模型(CDM). 器件級(jí)

BS EN 60749-26-2014半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試.人體模型(HBM)

BS EN 60749-27-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試.機(jī)器模型(MM)

BS EN 60749-26-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試.人體模型(HBM)

BS EN 60749-27-2006+A1-2012半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試.機(jī)器模型(MM)

德國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體靜電的標(biāo)準(zhǔn)

DIN EN 60749-26-2014半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度試驗(yàn).人體模型(HBM)(IEC 60749-26-2013).德文版本EN 60749-26-2014

DIN EN 60749-27-2013半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢驗(yàn).機(jī)器模型(MM).(IEC 60749-27-2006 + A1-2012).德文版本EN 60749-27-2006 + A1-2012

DIN EN 60749-26-2007半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度試驗(yàn).人體模型(HBM)

法國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體靜電的標(biāo)準(zhǔn)

NF C96-022-27/A1-2013半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢驗(yàn).機(jī)器模型(MM)

NF C96-022-27-2006半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試.機(jī)器模型(MM)

NF C96-022-26-2006半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試.人體模型(HBM)

歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，關(guān)于半導(dǎo)體靜電的標(biāo)準(zhǔn)

EN 60749-27-2006半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度測(cè)試.機(jī)器模型(MM)IEC 60749-27-2006

美國(guó)國(guó)防后勤局，關(guān)于半導(dǎo)體靜電的標(biāo)準(zhǔn)

DLA SMD-5962-95624 REV C-2006混合數(shù)字的512K X 32-BIT,靜電噪聲隨機(jī)存取存儲(chǔ)器互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體微電路

DLA SMD-5962-95595 REV N-2004靜電噪聲的隨機(jī)數(shù)字存儲(chǔ)存儲(chǔ)器混合互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體微電路

檢測(cè)報(bào)告有效期

一般半導(dǎo)體靜電檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間，不會(huì)標(biāo)注有效期。

檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格

需要根據(jù)檢測(cè)項(xiàng)目、樣品數(shù)量及檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)而定，請(qǐng)聯(lián)系我們確定后報(bào)價(jià)。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容為部分列舉，僅供參考使用。更多檢測(cè)問(wèn)題請(qǐng)咨詢客服。