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檢測項目及執(zhí)行標準一覽表
| 序號 | 檢測標準 | 檢測對象 | 檢測項目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | 溫升和耗散功率 |
| 2 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | 約定不熔斷電流 |
| 3 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | 約定熔斷電流 |
| 4 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | 約定電纜過載保護 |
| 5 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | 過載能力驗證 |
| 6 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | 額定電流驗證 |
| 7 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.7 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | I2t特性和過電流選擇性驗證 |
| 8 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016, EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 8.7 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | I2t特性和過電流選擇性驗證 |
| 9 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.5 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | 分斷能力驗證 |
| 10 | 低壓熔斷器 第4部分：半導體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016, EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 8.5 | 半導體設(shè)備保護用熔斷器 | 分斷能力驗證 |
檢測時間周期
一般3-10天出報告，有的項目1天出報告，具體根據(jù)半導體設(shè)備保護用熔斷器檢測項目而定。
檢測報告有效期
一般半導體設(shè)備保護用熔斷器檢測報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標注有效期。
檢測流程步驟
1、電話溝通、確認需求；
2、推薦方案、確認報價；
3、郵寄樣品、安排檢測；
4、進度跟蹤、結(jié)果反饋；
5、出具報告、售后服務；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關(guān)于《半導體設(shè)備保護用熔斷器檢測》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測機構(gòu)遍布全國，更多檢測需求請咨詢客服。
