檢測(cè)報(bào)告圖片
第三方檢測(cè)報(bào)告有效期
一般檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。
半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)試找什么單位做?檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些?
檢測(cè)項(xiàng)目：
單晶晶向測(cè)試等。
適用范圍
元素半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體、非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體、寬帶隙半導(dǎo)體材料、低維半導(dǎo)體材料等。
相關(guān)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
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相關(guān)介紹
為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對(duì)半導(dǎo)體材料特性參量的巨大影響，半導(dǎo)體器件的基體材料一般采用單晶體。單晶制備一般可分大體積單晶制備和薄膜單晶的制備。體單晶的產(chǎn)量高，利用率高，比較經(jīng)濟(jì)。但很多的器件結(jié)構(gòu)要求厚度為微米量級(jí)的薄層單晶。由于制備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以得到質(zhì)量較好的單晶。
檢測(cè)流程步驟
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