檢測(cè)報(bào)告圖片
第三方檢測(cè)報(bào)告有效期
一般檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。
砷化鎵襯底檢測(cè)哪里可以做?檢測(cè)項(xiàng)目有哪些?檢測(cè)報(bào)告辦理檢測(cè)中心擁有多年的砷化鎵襯底檢測(cè)的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，可根據(jù)客戶(hù)的檢測(cè)要求制定科學(xué)的測(cè)試方法，并提供嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試報(bào)告，幫助客戶(hù)了解產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)。
檢測(cè)項(xiàng)目：
密度檢測(cè)、熔點(diǎn)檢測(cè)、折射率檢測(cè)、相對(duì)介電常數(shù)檢測(cè)、電子親和能檢測(cè)、晶格能檢測(cè)、禁帶寬度檢測(cè)、電子遷移率檢測(cè)等。
適用范圍
砷化鎵、砷化鎵切割片、砷化鎵襯底等。
相關(guān)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 20228-2021 砷化鎵單晶
GB/T 11094-2020 水平法砷化鎵單晶及切割片
GB/T 8760-2020 砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法
GB/T 35305-2017 太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片
GB/T 19199-2015 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法
GB/T 17170-2015 半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法
GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化鎵襯底
GB/T 25075-2010 太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶
GB/T 11094-2007 水平法砷化鎵單晶及切割片
GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片
相關(guān)介紹
根據(jù)電阻的不同，砷化鎵材料可以分為半導(dǎo)體型和半絕緣型。半絕緣型砷化鎵襯底由于電阻率較高、高頻性能好，主要用來(lái)制作手機(jī)中的PA元件。半導(dǎo)體型砷化鎵的主要應(yīng)用在LED和VCSEL等光電子器件。
檢測(cè)流程步驟
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