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載流子濃度測(cè)試

檢測(cè)報(bào)告圖片

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第三方檢測(cè)報(bào)告有效期

一般檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。

載流子濃度測(cè)試什么單位可以做?檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些?檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室可依據(jù)GB/T 14146-2021 硅外延層載流子濃度的測(cè)試 電容-電壓法等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定試驗(yàn)方案。對(duì)霍爾遷移率測(cè)定、載流子濃度測(cè)定等項(xiàng)目進(jìn)行檢測(cè)分析。并出具嚴(yán)謹(jǐn)公正的對(duì)載流子濃度測(cè)試報(bào)告。

檢測(cè)項(xiàng)目

霍爾遷移率測(cè)定、載流子濃度測(cè)定等。

適用范圍

硅外延層、氮化鎵襯底片、砷化鎵外延層、重?fù)缴榛?、磷化銦等?/p>

相關(guān)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 14146-2021 硅外延層載流子濃度的測(cè)試 電容-電壓法

GB/T 36705-2018 氮化鎵襯底片載流子濃度的測(cè)試 拉曼光譜法

GB/T 14863-2013 用柵控和非柵控二*管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的方法

GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法

GB/T 14863-1993 用柵控和非柵控二*管的電壓-電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的標(biāo)準(zhǔn)方法

SJ 3248-1989 重?fù)缴榛壓土谆熭d流子濃度的紅外反射測(cè)試方法

SJ 3244.1-1989 砷化鎵和磷化銦材料霍爾遷移率和載流子濃度的測(cè)量方法

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

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