SJ 20060-1992《半導(dǎo)體分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范》基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：

SJ 20060-1992

中文名稱(chēng)：

《半導(dǎo)體分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范》

發(fā)布日期：

1992-11-19

實(shí)施日期：

1993-05-01

發(fā)布部門(mén)：

中國(guó)電子工業(yè)總公司

提出單位：

中國(guó)電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局

歸口單位：

中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所

起草單位：

中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所和石家莊無(wú)線電二廠

起草人：

王長(zhǎng)福、王承琳、謝佩蘭

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)：

A01技術(shù)管理

SJ 20060-1992《半導(dǎo)體分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范》介紹

SJ 20060-1992《半導(dǎo)體分立器件 3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范》是中國(guó)電子工業(yè)總公司于1992年11月19日發(fā)布的一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，自1993年5月1日起實(shí)施。

一、技術(shù)要求

1、晶體管的型號(hào)、外形和尺寸應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，且應(yīng)有清晰的型號(hào)標(biāo)識(shí)。

2、晶體管的電性能參數(shù)應(yīng)滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求，包括集電極-基極電壓、集電極電流、基極電流、電流放大系數(shù)等。

3、晶體管的機(jī)械性能應(yīng)滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求，包括引線強(qiáng)度、引線長(zhǎng)度、引腳間距等。

4、晶體管的熱性能應(yīng)滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求，包括結(jié)溫、散熱能力等。

二、測(cè)試方法

1、電性能參數(shù)測(cè)試：采用相應(yīng)的測(cè)試儀器和設(shè)備，按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試條件和方法進(jìn)行測(cè)試。

2、機(jī)械性能測(cè)試：采用相應(yīng)的測(cè)試儀器和設(shè)備，按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試條件和方法進(jìn)行測(cè)試。

3、熱性能測(cè)試：采用相應(yīng)的測(cè)試儀器和設(shè)備，按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試條件和方法進(jìn)行測(cè)試。

三、檢驗(yàn)規(guī)則

1、檢驗(yàn)分類(lèi)：包括型式檢驗(yàn)和出廠檢驗(yàn)。

2、型式檢驗(yàn)：在產(chǎn)品研制、改進(jìn)或工藝變更后，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)，以驗(yàn)證產(chǎn)品是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

3、出廠檢驗(yàn)：每批產(chǎn)品出廠前應(yīng)進(jìn)行出廠檢驗(yàn)，以確保產(chǎn)品質(zhì)量。

四、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存

1、標(biāo)志：產(chǎn)品應(yīng)有清晰的型號(hào)標(biāo)識(shí)、生產(chǎn)批號(hào)、生產(chǎn)日期等信息。

2、包裝：產(chǎn)品應(yīng)采用適當(dāng)?shù)陌b材料和包裝方式，以保護(hù)產(chǎn)品在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中不受損壞。

3、運(yùn)輸：產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)避免受到劇烈震動(dòng)、高溫、潮濕等不良影響。

4、儲(chǔ)存：產(chǎn)品應(yīng)儲(chǔ)存在干燥、通風(fēng)、無(wú)腐蝕性氣體的環(huán)境中，避免受潮、受熱、受壓等不良影響。

檢測(cè)流程步驟

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