SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測(cè)量硅中間隙氧含量》基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：

SJ/T 11491-2015

中文名稱：

《短基線紅外吸收光譜法測(cè)量硅中間隙氧含量》

發(fā)布日期：

2015-04-30

實(shí)施日期：

2015-10-01

發(fā)布部門：

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部

SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測(cè)量硅中間隙氧含量》介紹

SJ/T 11491-2015《短基線紅外吸收光譜法測(cè)量硅中間隙氧含量》是由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部于2015年4月30日發(fā)布，并于同年10月1日起正式實(shí)施的一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。

一、標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

SJ/T 11491-2015標(biāo)準(zhǔn)適用于采用短基線紅外吸收光譜法測(cè)量半導(dǎo)體級(jí)多晶硅、單晶硅和硅片中間隙氧含量。該標(biāo)準(zhǔn)不適用于其他類型的硅材料。

二、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容

1、術(shù)語(yǔ)和定義

標(biāo)準(zhǔn)*先對(duì)“間隙氧”、“紅外吸收光譜法”、“短基線紅外吸收光譜法”等術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了明確的定義，為后續(xù)的測(cè)量方法和結(jié)果解讀提供了基礎(chǔ)。

2、原理

短基線紅外吸收光譜法是一種基于硅中間隙氧對(duì)紅外光的吸收特性來(lái)測(cè)量硅中間隙氧含量的方法。標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)闡述了該方法的原理，包括紅外光的吸收、反射和透射等現(xiàn)象。

3、儀器設(shè)備

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)量硅中間隙氧含量所需的儀器設(shè)備，包括紅外光譜儀、樣品制備設(shè)備等，并對(duì)其性能要求進(jìn)行了明確。

4、樣品制備

樣品制備是測(cè)量硅中間隙氧含量的關(guān)鍵步驟。標(biāo)準(zhǔn)對(duì)樣品的切割、拋光、清洗等過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)定，以確保樣品的質(zhì)量和測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。

5、測(cè)量方法

標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了短基線紅外吸收光譜法的測(cè)量步驟，包括樣品的固定、紅外光的照射、吸收光譜的記錄等，并對(duì)測(cè)量過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題進(jìn)行了分析和解決方案的提供。

6、結(jié)果計(jì)算

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中間隙氧含量的計(jì)算方法，包括吸收峰的識(shí)別、定量分析等，并提供了計(jì)算公式和示例。

7、精密度和準(zhǔn)確度

標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)量結(jié)果的精密度和準(zhǔn)確度進(jìn)行了規(guī)定，包括重復(fù)性、再現(xiàn)性等指標(biāo)，并提供了相應(yīng)的測(cè)試方法和評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。

三、標(biāo)準(zhǔn)的意義

1、提高硅材料質(zhì)量

通過(guò)規(guī)范硅中間隙氧含量的測(cè)量方法，可以更準(zhǔn)確地評(píng)估硅材料的性能，從而提高硅材料的整體質(zhì)量。

2、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)

標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施有助于推動(dòng)硅材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，提高硅材料的附加值。

3、保障消費(fèi)者權(quán)益

準(zhǔn)確的硅中間隙氧含量測(cè)量結(jié)果，有助于消費(fèi)者更好地了解硅材料的性能，保障消費(fèi)者的合法權(quán)益。

4、推動(dòng)國(guó)際合作

SJ/T 11491-2015標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌，有助于推動(dòng)我國(guó)硅材料產(chǎn)業(yè)的國(guó)際合作和交流。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。