GB/T 12963-2022是中國國家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了電子級多晶硅的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸以及貯存等內(nèi)容。以下是該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的主要內(nèi)容：

1. 引言

本部分介紹了電子級多晶硅的定義、應(yīng)用范圍、標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)和簡介。

2. 規(guī)范性引用文件

本部分列出了與該標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)的其他國家標(biāo)準(zhǔn)，包括試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、質(zhì)量控制等方面的標(biāo)準(zhǔn)。

3. 術(shù)語和定義

本部分列出了在該標(biāo)準(zhǔn)中使用的定義和術(shù)語，包括多晶硅、電子級多晶硅、摻雜等相關(guān)術(shù)語的定義。

4. 技術(shù)要求

4.1 化學(xué)成分要求該部分規(guī)定了電子級多晶硅的化學(xué)成分要求，包括雜質(zhì)元素的含量、總碳含量、摻雜元素的種類和含量等。4.2 晶體質(zhì)量要求該部分規(guī)定了電子級多晶硅的晶體質(zhì)量要求，包括晶體結(jié)構(gòu)、析出物、晶體缺陷等方面的要求。4.3 電氣性能要求該部分規(guī)定了電子級多晶硅的電氣性能要求，包括載流子濃度、載流子遷移率、電阻率等方面的要求。4.4 其他要求該部分列出了電子級多晶硅的其他要求，包括表面質(zhì)量、外觀、尺寸、包裝等方面的要求。

5. 試驗(yàn)方法

5.1 化學(xué)成分分析方法該部分詳細(xì)列出了電子級多晶硅化學(xué)成分分析的試驗(yàn)方法，包括溶劑萃取法、原子吸收光譜法、離子色譜法等。5.2 晶體質(zhì)量檢驗(yàn)方法該部分詳細(xì)列出了電子級多晶硅晶體質(zhì)量檢驗(yàn)的試驗(yàn)方法，包括薄片法、X射線襯度法、顯微鏡觀察法等。5.3 電氣性能檢驗(yàn)方法該部分詳細(xì)列出了電子級多晶硅電氣性能檢驗(yàn)的試驗(yàn)方法，包括載流子濃度測定法、載流子遷移率測量法、電阻率測量法等。5.4 其他試驗(yàn)方法該部分列出了電子級多晶硅的其他試驗(yàn)方法，包括表面質(zhì)量檢驗(yàn)法、尺寸測量法、包裝檢驗(yàn)法等。

6. 檢驗(yàn)規(guī)則與標(biāo)志

該部分規(guī)定了電子級多晶硅的檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志，包括抽樣、檢驗(yàn)結(jié)果判定、合格標(biāo)志等。

7. 包裝、運(yùn)輸與貯存

該部分規(guī)定了電子級多晶硅的包裝、運(yùn)輸與貯存要求，包括包裝材料、標(biāo)志、運(yùn)輸方式、貯存條件等。

8. 標(biāo)準(zhǔn)的編制

本部分介紹了該標(biāo)準(zhǔn)的編制過程、參與單位和主要起草人。

GB/T 12963-2022電子級多晶硅標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子級多晶硅的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸以及貯存等內(nèi)容。通過這個標(biāo)準(zhǔn)，可以確保電子級多晶硅的質(zhì)量穩(wěn)定性和可靠性，推動電子行業(yè)的發(fā)展。同時，該標(biāo)準(zhǔn)還對電子級多晶硅的生產(chǎn)、檢驗(yàn)、使用提供了指導(dǎo)，促進(jìn)了行業(yè)間的交流合作，提高了我國電子級多晶硅的競爭力和國際地位。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。